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5-1 随机读写存储器RAM 5-2 只读存储器ROM 5-3 存储器的连接
文档格式:PPT 文档大小:428.5KB 文档页数:106
数据库设计是指根据用户需求研制数据库结构 的过程,具体地说,是指对于一个给定的应用 环境,构造最优的数据库模式,建立数据库及 其应用系统,使之能有效的存储数据,满足用 户的信息要求和处理要求
文档格式:PDF 文档大小:3.39MB 文档页数:8
铝镁合金在制造业中应用广泛, 但其在特定应变率下的塑性失稳不利于加工应用. 溶质原子与位错的交互作用是塑性失稳的微观机理. 本文采用势能曲面过渡态搜索技术计算了铝镁合金中替代型溶质镁原子向位错芯迁移的过渡态, 确认了溶质原子与位错芯的交互作用范围, 并采用过渡态理论估算了迁移扩散所需的时间, 且区分了无空位及有空位参与迁移两种情况. 结果表明, 位错压应力区内的溶质原子迁移无明显规律, 而在位错拉应力区内, 随着溶质原子与位错间距的缩短, 迁移势能垒和系统总能量均逐渐降低. 说明目前广泛采用的经验原子势可以很好地反映溶质原子易朝位错拉应力区偏聚这一现象. 溶质原子迁移的过渡态证实迁移过程中的微观结构变化因溶质原子所处位置不同而各异, 而交互作用范围不超过约2 nm. 空位参与对迁移的辅助作用被量化为迁移热激活时间的缩短, 并得出其可在微秒量级. 当溶质原子完成迁移稳定至位错芯附近, 并不倾向于沿位错线密集分布
文档格式:PPT 文档大小:235KB 文档页数:13
了解长期投资决策的基本概念及其经济效益 评价基础,掌握长期投资决策方案经济效益评价 的主要经济指标计算原理,并应用这些原理对长 期投资决策进行对比与选优
文档格式:DOC 文档大小:125.5KB 文档页数:11
本课程是一门将微机原理与单片机结合起来的技术基础课,通过本课程的学习,目的是使学生能掌握单片微机的组成结构、工作原理、编程方法和接口技术等方面的知识,培养学生的微机应用能力。其主要任务是讲授微机基本组成、MCS—51单片机结构,汇编语言程序设计、中断与定时、并行接口、模拟与数字转换接口和串行接口等内容
文档格式:PPT 文档大小:2.29MB 文档页数:233
❖ 8.1 单片机并行扩展的总线结构及编址技术 ❖ 8.2 存储器的并行扩展 ❖ 8.3 单片机应用系统中并行I/O端口的扩展 ❖ 8.4 并行A/D和D/A转换器及其与单片机的接口 ❖ 8.5 单片机与LED显示器及键盘接口 ❖ 8.6 单片机与液晶显示器LCD接口 ❖ 8.7 单片机与打印机接口
文档格式:PDF 文档大小:623.33KB 文档页数:4
设计了一个由混凝土、矿粉和尾砂等材料制成的带空洞的实验模型.在模型的预留空洞中,分别充填水、砂、泥和空气进行了模拟实验,研究不同充填介质在探地雷达探测图像中表现出的特征及差异,进而辨别不同充填介质.论述了采空区探地雷达探测原理与方法,并通过在甘肃厂坝铅锌矿进行现场试验,分析、识别了采空区内充填物类型及状态.实践表明,应用探地雷达技术,可以高效、准确地探测采空区及其充填情况
文档格式:PPT 文档大小:659KB 文档页数:56
第一节 绪论 第二节 氧化还原反应 一、电极电位 二、条件电位及影响因素 三、氧化还原反应进行的程度 四、氧化还原反应的速度 第三节 氧化还原滴定 一、滴定曲线 二、指示剂 三、氧化还原预处理 第三节 氧化还原滴定法的应用 一、碘量法 二、KMnO4法 三、K2Cr2O7法 四、其他氧化还原方法
文档格式:PDF 文档大小:434KB 文档页数:5
氢气氛下区熔拉制的鼓棱无位错硅单晶,原生晶体经化学腐蚀,观察不到缺陷,包括微缺陷。但当块状热处理后,经腐蚀常常观察到尺度mm数量级的氢致缺陷(φ型缺陷、麻坑)和微缺陷氢沉淀。为了消除这些缺陷,原生单晶需片状供应,片厚应小于1mm,或中照后的区熔(氢)硅单晶,片状,940℃、0.5h退火,均能消除之。在电力电子器件的应用中,管芯等级合格率可保持在80%以上
文档格式:PPTX 文档大小:2.28MB 文档页数:117
2.1 芯片内部结构及特点 2.2 C54x的内部多总线结构 2.3 C54x的中央处理单元(CPU) 2.4 C54x的存储器结构 2.5 复位操作及省电方式 2.6 中断系统 2.7 流水线 2.8 引脚及其功能
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