10-5 已知U2=20 UO(AV)=0.9U2=0.9×20＝18V IO(AV)= UO(AV)/ RL=18/1=18mA ID(AV)= IO(AV)/2=18/2=9mA URM = 2U2 = 1.41 20 = 28.2V

4.1概述 4.3 若干常用组合逻辑电路 4.4 组合逻辑电路中的竞争-冒险现象 4.5 用multisim分析组合逻辑电路

3-3已知某N沟道结型场效应管的UGS(off)=- 5V。下表给 出四种状态下的UGS和UDS 的值，判断各状态下的管子工作在 什么区

3.2PN结的形成及特性 3.2.1在室温(300K)情况下,若二极管的反向饱和电流为1nA,问它的正 向电流为0.5mA时应加多大的电压?设二极管的指数模型为i=l5(e\-1),其 中n=1,Vr=26mV

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

1.2信号的频谱 1.2.1写出下列正弦波电压信号的表达式(设初始相角为零) (1)峰-峰值10V,频率10kHz; (2)有效值220V,频率50Hz;

5.1金属-氧化物一半导体(MoS)场效应管 5.1.1图题5.1.1所示为 MOSFET的转移特性,请分别说明各属于何种 沟道。如是增强型,说明它的开启电压V=?如是耗尽型,说明它的夹断电 压vp=?

1．会分析本章实例中电力电子装置的电路原理。 2．学会电力电子技术电路识图方法。 3．了解电力电子装置在各个领域中的应用

3–1 结型场效应管 3–2 绝缘栅场效应管(IGFET) 3–3 场效应管的参数和小信号模型 3–4 场效应管放大器

采用激光电子散斑干涉技术、电化学阻抗技术和扫描电化学显微镜技术实时、动态和原位观测了涂覆丙烯酸聚氨酯涂层的碳钢在质量分数为3.5%的NaCl溶液中浸泡初期的界面腐蚀行为,并对比了纳米TiO2的添加对界面腐蚀行为的影响.在浸泡初期无宏观缺陷存在时,激光电子散斑干涉技术成功检测到涂层界面的微小变化,电化学阻抗技术显示不同涂层低频阻抗膜值的变化情况,均与扫描电化学显微镜技术获得的腐蚀电化学形貌结果一致,即在浸泡初期,未添加纳米TiO2的涂层其界面变化速度(即锈蚀萌生速度)较添加涂层明显得多,表明纳米TiO2可延缓涂层/碳钢的界面失效