1. 空晶格模型 2. 禁带起因——定性分析 3. 禁带宽度——定量计算(微扰法) 4. 金属、绝缘体、半导体

7-7金属一绝缘体一半导体和MOS反型层 MS体系:金属一绝缘体一半导体 Metal Insulator Semiconductor MOS体系:金属一氧化物一半导体

1.半导体载流子的近似玻耳兹曼统计 半导体中的电子和金属中的电子一样服从费密一一狄拉克统计。在金属中,电子填充空带的部分形 成导带,相应的费密能级位于导带中。 对于掺杂不太多的半导体,在热平衡下,导带中有从施主能级激发到导带中的电子,价带中还有少量的空穴

半导体是电导率介于金属导体和绝缘体之间的一大类导电物体,它们的电导率大约 分布在10cm~103-cm之间。用半导体制成的各种器件有极广泛的用途,通过 不同的掺杂工艺,可以把半导体制成各种电子元件,如作为电子计算机及通讯、自动控 制工程基础的晶体管和集成电路等。另外,半导体对电场、磁场、光照、温度、压力及 周围环境气氛等外部条件非常敏感,因此它是敏感元器件的重要材料

半导体是电导率介于金属导体和绝缘体之间的一大类导电物体,它们的电导率大约 分布在10cm~103-cm之间。用半导体制成的各种器件有极广泛的用途,通过 不同的掺杂工艺,可以把半导体制成各种电子元件,如作为电子计算机及通讯、自动控 制工程基础的晶体管和集成电路等。另外,半导体对电场、磁场、光照、温度、压力及 周围环境气氛等外部条件非常敏感,因此它是敏感元器件的重要材料

同质结:由同种半导体材料构成的N区或P区,形成的PN结。如将两块带隙宽度相同、掺杂不 同的半导体材料,在一定的条件下生长在一起形成同质结。 异质结:两种带隙宽度不同的半导体材料生长在同一块单晶上形成的结。 同型异质结:结的两边导电类型相同:NN,PP结 异型异质结:结的两边导电类型不相同:NP,PN结 对于异型异质结:两种材料的带隙不同

PN结的构成:半导体材料的一部分是N型半导体材料,一部分是P型半导体材料型。 N结的性质:单向导电性。电流随电压变化的特性如图XCH007012所示

1.半导体电导率 在一般电场情况下,半导体的导电服从欧姆定律:j=E--为电导率 半导体中可以同时有两种载流子,将电流密度写成:j=nq+pqv ,分别为空穴和电子在外场下获得的平均漂移速度 —平均漂移速度和外场的关系:

1.1.1 固体的分类 1.1.2 晶体的宏观特性

广东工业大学：《大学物理》课程教学课件（讲稿）第六篇 近代物理基础 第17章 激光和固体的量子理论（固体的能带结构、半导体的导电机理）