半导体的基础知识 本征半导体 杂质半导体 载流子运动方式及形成电流 PN结与二极管 PN结的基本原理 晶体二极管 二极管应用电路 特殊二极管 晶体三极管 晶体管的结构与符号 晶体管的工作状态及放大原理 晶体管特性曲线 晶体管的主要参数 场效应晶体管 结型场效应晶体管（JFET） 绝缘栅场效应管（IGFET） 场效应管的工作状态、参数及特点

采用垂直沉积法组装了二元聚苯乙烯胶粒晶体，研究了两种聚苯乙烯胶体微球的粒径比、质量比、温度和分散介质中乙二醇含量等因素对二元聚苯乙烯胶粒晶体组装花样的影响.粒径比>；4.45、质量比≥74∶26是形成面心立方二元聚苯乙烯胶粒晶体的必要条件.组装温度为60℃，分散介质中乙二醇质量分数为6%时，可得到更高质量的二元聚苯乙烯胶体晶体.胶体微球二元垂直沉积机理研究表明：两种聚苯乙烯胶体微球是同时在基片的表面进行组装的；胶体微球在介质中的布朗运动、沉降速率及其在基片表面的组装速率三者之间匹配越好，所得二元聚苯乙烯胶粒晶体质量越高

《高中化学》全程设计同步配套教学课件（选修2结构与性质）第三章 晶体结构与性质_实验活动 简单配合物的形成

第一节 液态结构与晶体凝固的条件 液态金属的特征 结晶的微观现象 结晶的宏观现象 金属结晶的基本条件 第二节 材料结晶时晶核的形成 THE FORMATION OF NUCLEUS AS MATERIALS CRYSTALLIZING 均匀形核 非均匀形核 第三节 材料结晶时晶核的长大 晶体长大的条件 液/固界面的构造 晶体长大机制 晶体长大形态 第四节 凝固理论的应用 铸件晶粒细化 单晶制备 定向凝固 非晶态金属的制备

在前面的讨论中，我们都把组成晶体的原子看成是固定在平衡位置上不动，实际晶 体中的粒子并非如此，而是会在平衡位置附近作微小的振动。由于晶体内原子间存在着 相互作用，原子的振动就不是孤立的，而要以波的形式在晶体中传播，形成所谓格波。 因此晶体可视为一个互相耦合的振动系统。这个系统的运动就叫晶格振动

晶体中粒子的结合力和结合能(Universal Feature of Combining Force Combining Energy) 一、什么叫晶体? 通过结晶过程形成的具有规则几何外形 的固体叫晶体。 晶体中的微粒按一定的规则排列

概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

在前面的讨论中,我们都把组成晶体的原子看成是固定在平衡位置上不动,实际晶 体中的粒子并非如此,而是会在平衡位置附近作微小的振动。由于晶体内原子间存在着 相互作用,原子的振动就不是孤立的,而要以波的形式在晶体中传播,形成所谓格波

1.在晶体最密堆积结构中,每个粒子配位数是多大?六方最密堆积与面心立方最密堆积的主 要区别在哪里? 2.“六方最密堆积与面心立方最密堆积中都存在着四面体空隙”,“在NaCl晶体结构中, C1粒子堆积形成了八面体空隙,所以NaCl晶体不属于最密堆积结构”这两句话是否正确?