第十三章氧化还原 13.1氧化剂 13.2高级氧化 13.3高锰酸钾及其复合盐的氧化 13.4其它氧化方法

13.1氧化剂 13.2高级氧化 13.3高锰酸钾及其复合盐的氧化 13.4其它氧化方法

(1) 了解电极电势的概念，能用能斯特方程式进行有关计算 (2) 能应用电极电势的数据判断氧化剂还原剂的相对强弱及氧化还原反应自发 进行的方向和程度。了解摩尔吉布斯焓变与原电池电动势，标准摩尔吉布斯 自由能变与氧化还原反应平衡常数的关系。 (3) 了解电解、电镀、电抛光的基本原理,了解它们在工程上的应用。 (4) 了解金属腐蚀及防护原理

13.1氧化剂 13.2高级氧化 13.3高锰酸钾及其复合盐的氧化 13.4其它氧化方法

一、燃烧与火焰 燃烧燃料和氧化剂两种组份在空间激烈地发生放热化学反应的过程。火焰发生燃烧反应的外部表现

水质一挥发酚的测定蒸馏后4氨基安替比林分光光度法 本方法与ISO64391984(E)标准在技术上主要差异为:试分体积及相应的试剂用量。 1范围 本方法适用于饮用水、地面水、地下水和工业废水中挥发酚的测定。其测定范围为0.002 6mg/L浓度低于0.5mg/L时,采用氯仿萃取法,浓度高于0.5mg/L时,采用直接分光光度法。 氧化剂、油类、硫化物、有机或无机还原性物质和芳香胺类干扰酚的测定

1.酚对氧化剂很敏感,若需氧化芳环上某基团,应先保护酚羟基

一、条件电位 在氧化还原反应中，氧化剂或还原剂的氧化还原能力大小，可用该氧化还原电对的电极电位（简称电位）表示。根据电位的大小，也可判断反应进行的程度和方向

通过采用一步纳米金属颗粒辅助化学刻蚀法(MACE)成功制备了多孔硅纳米线, 并主要研究了硅片掺杂浓度、氧化剂AgNO3浓度以及HF浓度对硅纳米线阵列形貌结构的影响规律. 研究结果表明: 较高的掺杂浓度更有利于刻蚀反应的发生和硅纳米线阵列的形成, 这是由于高掺杂浓度在硅片表面引入了更多的杂质和缺陷, 同时高掺杂浓度的硅片与溶液界面形成的肖特基势垒更低, 更容易氧化溶解形成硅纳米线阵列; 在一步金属辅助化学刻蚀法制备多孔硅纳米线阵列的过程中, 溶液中AgNO3浓度对于其刻蚀形貌和结构起到主要作用, AgNO3浓度过低或过高时, 硅片表面会形成腐蚀凹坑或坍塌的纳米线簇, AgNO3浓度为0.02 mol·L-1时, 硅纳米线会生长变长, 最终形成多孔硅纳米线阵列. 随着硅纳米线的增长, 纳米线之间的毛细应力会使得一些纳米线顶部出现团聚现象; 且当HF溶液浓度超过4.6 mol·L-1时, 随着HF酸浓度的增加, 硅纳米线的长度随之增加. 同时, 硅纳米线的顶部有多孔结构生成, 且硅纳米线的孔隙率随HF浓度的增加而增多, 这是由于纳米线顶部大量的Ag+随机形核, 导致硅纳米线侧向腐蚀的结果. 最后, 根据实验现象提出相应模型对多孔硅纳米线的形成过程进行了解释, 归因于银离子的沉积和硅基底的氧化溶解

通过热动力学分析、理论计算和实验,确定在碱性条件下用NaClO作氧化剂,Na2S和FeSO4作还原剂处理混合电镀废水的工艺流程,并通过计算和实验确定了Na2S与FeSO4的最佳药剂比:Na2S为80%~90%,FeSO4为10%~20%.Na2S+FeSO4比单独使用FeSO4少产生60%~70%的污泥.该工艺在实际工程运行过程中效果良好