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运城学院:《微机原理与接口技术》课程教学资源(PPT课件讲稿)第10章 AT89S52单片机与DAC、ADC的接口
文档格式:PPT 文档大小:2.66MB 文档页数:134
10.1 单片机扩展D/A转换器概述 10.2 单片机扩展并行8位DAC0832的设计 10.2.1 DAC0832简介 10.2.2 单片机与8位D/A转换器0832的接口设计 10.3 AT89S52单片机与12位D/A转换器AD667的接口设计 10.3.1 12位D/A转换器AD667简介 10.3.2 AD667与AT89S51单片机的接口设计 10.3.3 AD667使用中的技术细节 10.4 AT89S51与串行输入的12位D/A转换器AD7543的接口设计 10.4.1 AD7543简介 10.4.2 单片机扩展AD7543的接口设计 10.5 单片机扩展A/D转换器概述 10.6 单片机扩展并行8位A/D转换器ADC0809 10.6.1 ADC0809简介 10.6.2 单片机与ADC0809的接口设计 10.7 AT89S52单片机扩展12位串行ADC-TLC2543的设计 10.7.1 TLC2543的特性及工作原理 10.7.2 单片机扩展TLC2543的设计 10.8 AT89S52与双积分型A/D转换器MC14433的接口 10.8.1 MC14433 A/D转换器简介 10.8.2 单片机与MC14433的接口设计 10.9 AT89S52单片机与V/F转换器的接口 10.9.1 用V/F转换器实现A/D转换的原理 10.9.2 常用V/F转换器LMX31简介 10.9.3 V/F转换器与单片机的接口设计 10.9.4 V/F转换的应用设计
海南医学院:《生理学》课程教学资源(试题与解答)01级本科生理学期末考试题答案(甲A)
文档格式:PDF 文档大小:96.81KB 文档页数:2
一、选择题 A型题 1.a2.c3.b4.c5.a6.b7.e8.b9.c10.d11.a 12.d13.d14.d15.c16.c17.a18.d19.b20.b21.d 22.D23.D24.E25.D26.C27.b28.d29.c30.a31.c
《数据结构》课程教学资源:第五章 树形结构(1/2)
文档格式:PPT 文档大小:333KB 文档页数:94
非递归定义 树结构是二元组(D,R),其中,D是n个数据元素的有穷 集合(n>0)(数据元素称为结点),R是D上的一个关系 。n=0时,称为空树;否则它满足以下条件: a)有且仅有一个结点d∈D,满足:不存在任何d∈D, 使
《实变函数》课程教学资源(PPT课件讲稿)第二章 n维空间中的点集(2.1)n维欧氏空间
文档格式:PPT 文档大小:236KB 文档页数:12
1度量空间 定义:设X为一非空集合,d:XX→R为一映射,且满足 (1)d(x,y)≥0,d(x,y)=0当且仅当x=y(正定性) (2)d(x,y)=d(y,x)(对称性) (3)d(x,y)d(xz)+d(z,y)(三角不等式)则称(X,d)为度量空间
《突变函数》课程教学资源(讲义)第二章 点集(2.1)n维欧氏空间
文档格式:PPT 文档大小:241.5KB 文档页数:12
⒈度量空间 定义:设X为一非空集合,d : X×X→R为一映射,且满足 ⑴ d(x,y)≥ 0,d(x,y)=0当且仅当x = y(正定性) ⑵ d(x,y)=d(y,x) (对称性)则称(X,d)为度量空间. ⑶ d(x,y)≤ d(x,z)+d(z,y)(三角不等式)
华中科技大学:《C语言程序设计》作业5
文档格式:DOC 文档大小:27KB 文档页数:2
作业5 一、单项选择题(从下列各题四个备选答案中选出一个正确答案,将其代号(A,B,C,D)写在题干前面的括号内,本题可以不抄题,其余各题必须抄题) ()1.广义表(a,(b,c),(d))的表尾是 A.(d)B.((d)C.(b,c),(d)D.((b,c),(d)) ()2.广义表(a,(b,c,d,(),()),((e))的长度是 A.3B.4C.5D.6
中南大学商学院:《管理信息系统 Management Information Systern》课程教学资源(作业题参考答案)
文档格式:DOC 文档大小:60.5KB 文档页数:9
一. 单项选择题 1.A 2.D 3.D 4.A 5.D 6.D 7.C 8.D 9.A 10.A 11.B 12.A 13.A 14.A 15.C 16.C 17.B 18.A 19.A 20.B 21.D 22.A 23.A 24.D 25.C 26.A 27.B 28.B 29.A 30.C 31.A 32.D 33.C 34.A 35.D 36.A 37.C 38.C 39.A 40.A 41.A 42.B 43.C 44.A 45.A 46.B 47.A 48.C 49.B 50.B 二. 判断题 1.错 2.错 3.错 4.错 5.错 6.错 7.对 8.对 9.对 10.对 11.错 12.对 13.对 14.错 15.对 16.对 17.错 18.对 19.错 20.对
利用FEMLAB模拟微电磁石的磁场区域
文档格式:PDF 文档大小:509.35KB 文档页数:4
利用FEMLAB软件模拟出在2D和3D的情况下微电磁石的电磁感应对磁场强度的影响.因为在3D界面下不能完全将实际模型重建,采用缩小实体的方法,将缩小后的模型在2D环境下模拟,可以显示出与大空间范围构造相似的仿真结果.3D仿真结果显示的大体结构及空间范围的情况与2D仿真结果大致相同,且3D仿真结果的误差在正常情况下至少为10%,因此3D与2D仿真环境下的磁体结构是可以比较的
采用开尔文扫描探针技术研究镁合金偶接铜合金的电偶腐蚀规律
文档格式:PDF 文档大小:656.05KB 文档页数:6
采用开尔文探针技术(SKP)测量AZ91D镁合金与H62铜合金偶接试样在盐雾加速实验中的电偶腐蚀规律.研究表明:AZ91D镁合金的电偶腐蚀效应受到阳极与阴极的电位差的影响,AZ91D镁合金与H62铜合金偶接试样之间的伏打电位差约为-1.22V,AZ91D镁合金存在显著的电偶腐蚀效应.由于存在较大的伏打电位差,在盐雾实验初始阶段,电偶腐蚀主要发生在偶接界面AZ91D镁合金一侧附近区域,而H62黄铜没有发生明显腐蚀.由于AZ91D镁合金在盐雾中生成的腐蚀产物对基体具有一定的保护作用,AZ91D镁合金表面腐蚀产物与基体间存在显著的伏打电位差,导致AZ91D镁合金基体形成新的腐蚀产物.因此,随着盐雾实验时间延长,AZ91D镁合金电偶腐蚀效应降低,H62铜合金腐蚀加快
《计算机二级Visual FoxPro》课程教学资源(笔试历年真卷)笔试历年真卷 2008年9月笔试试卷参考答案
文档格式:PDF 文档大小:44.17KB 文档页数:1
一、选择题 (1)B)(2)D)(3)C)(4)A)()D)(6)B)(7)A)(8)B) (9)C)(10)D)(11)D)(12)A)(13)C)(14)A)(15)D)(16)B) (17)B)(18)D)(19)B)(20)C)(21A)(22)A)(23)B)(24)C) (25)A)(26)D)(27)A)(28)C)(29)B)(30)C)(31)B)(32)D) (33)A)(34)A)(35)D)
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