微处理器—集成计算机中央处理器（ C P U）的所有组件在一个硅芯片上—诞生于1 9 7 1 年。它的产生有一个很好的开端：第一个微处理器是 Intel 4004，其中有2 3 0 0个晶体管。今天， 差不多3 0年过去了，为家用计算机所制造的微处理器中将近有 10 000 000个晶体管。 微处理器实际的作用基本上保持不变

关于铁硅硼非晶合金退火中结构弛予的研究

Y /半导体的导电特性 1. 本征半导体 半导体材料与PN结 (1.2.1) 导电性能介于导体（如铜、铁等）与绝缘体（如 石头、木头）之间； 主要有：Si（硅） Ge（锗） GaAs（砷化镓）； 影响半导体的导电性能： 温度、纯度。 纯净的半导体称为本征半导体

3.1 概述 3.2 碳及其化合物 3.3 硅的化合物

土壤矿物元素组成主要是：氧、硅、铝、铁，其它元素的量相对较比较少。 一.土壤矿物基本组成 二.粘土矿物 clay mineral

以石蜡为相变芯材,以正硅酸乙酯为硅源,在酸性条件下通过溶胶-凝胶法制备出石蜡/二氧化硅复合相变材料.应用傅里叶红外光谱、X射线衍射、扫描电镜、差示扫描量热法、热重法等手段对所制备复合相变材料的形貌、成分、热性能等进行了表征.实验结果表明,所制备的石蜡/二氧化硅复合相变材料的形貌是直径约为2μm的核/壳结构微球.当核/壳质量比为2∶1时,石蜡包覆率为66.3%,熔点为54.2℃,熔化焓为133.8 J·g-1,凝固点为49.5℃,凝固焓为127.5 J·g-1.与传统的有机高分子壳层材料相比,无机二氧化硅壳层材料具有更好的热导率,提升了复合相变材料的导热性能,且其不易燃烧,无腐蚀性,更加安全环保,有效拓展了相变材料在建筑保温和智能保温纺织物等领域的实际应用

用气固相反应原理分析了单晶硅热氧化机理。在氧化中期,考虑到热应力对扩散系数的影响,从而得出了硅氧化的一个新模型,即化学反应控速——四次方混合控速——扩散控速模型。用该模型处理了文献[4]中的数据与本实验结果均得到满意的相关系数。另外,用扫描电镜和透射电镜对氧化膜进行了观察,分析了单晶硅的氧化膜生长机理

通过现场取样进行电镜观察检测，研究了管线钢精炼过程中钢中大尺寸CaO和CaS复合夹杂物形貌、尺寸和成分，并结合钢液中Ca-O和Ca-S平衡曲线、CaO和CaS热力学分析，对其形成机理和形成原因进行了研究.实验结果表明：夹杂物可能是由于钙处理时喂入了过量硅钙线造成的

以硅镁型红土镍矿为原料，采用金属化焙烧-熔分工艺，通过正交试验制备金属化球团，将所得金属化球团在1500℃条件下熔融分离30 min提取镍铁合金，考察影响因素对实验结果的影响.结果表明：在选择性还原制备金属化球团过程中，对金属化率的影响程度从大到小的因素依次是C/O摩尔比、焙烧温度、焙烧时间和碱度；实验可获得镍品位19%的镍铁合金；在碱度为0.8-1.2范围内，S和P分配比随着碱度的升高而增大.利用X射线衍射和扫描电镜对金属化球团及熔融分离出的渣进行微观分析，发现加入的石灰石与复杂矿相反应可释放出简单镍氧化物和铁氧化物，促进还原反应的进行，当石灰石不足时，少量铁以Fe3+的形式存在于铁金属化率70%的金属化球团中

针对自行制备的11Cr?1Si铁素体/马氏体不锈钢开展了热处理制度探索，及力学性能、铅铋环境静态腐蚀和应力腐蚀行为研究。热处理研究结果表明，11Cr?1Si不锈钢在经过调质热处理后（950 ℃/60 min+750 ℃/120 min）能够在保证较高强度的同时获得良好的韧性。500 ℃静态腐蚀结果表明，11Cr?1Si在经过3368 h腐蚀后表面形成的氧化膜致密且连续，没有出现开裂和脱落，并且整体氧化速率较缓慢，没有观察到铅铋向材料基体内的渗透，表现出良好的抗腐蚀性能。应力腐蚀实验发现，11Cr?1Si不锈钢在350 ℃和400 ℃下存在本征脆化，但是在450 ℃下没有观察到铅铋致脆现象