第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确,用“√”和“”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。 (2)因为N型半导体的多子是自由电子所以它带负电。 (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零

4.1二维图形几何变换 4.1.1齐次坐标 所谓齐次坐标表示法就是将一个原本是n维的向量用一个n+1维向量来表示。例如:二维坐标点P(x,y)的齐次坐标为: 其中,H是任一不为0的比例系数

一、 Lagrange插值多项式 问题的提出: 设f(x)是区间[a,b]上的一个实函数, x(i=0,1,…,n)是[a,b]上的n+1个互异实数,且已 知y=f(x)在x(i=0,1,,n)处的函数值y(i=0,1,,n) ,即有: yi=f(x),(i=0,1,,n) 现要求一个次数不超过n的多项式P(x),使得 y=Pn(x)(i=0,1,…,n) (*1) 这就是 Lagrange插值问题

结型场效应管 场效应晶体三极管是由一 种载流子导电的、用输入电压控 制输出电流的半导体器件。从参 与导电的载流子来划分，它有自 由电子导电的N沟道器件和空穴 导电的P沟道器件

第4章图形变换 4.1二维图形几何变换 4.1.1齐次坐标 所谓齐次坐标表示法就是将一个原本是n维的向量用一个n+1维向量来表示。 例如:二维坐标点P(x,y)的齐次坐标为: (Hx, Hoy H) 其中,H是任一不为0的比例系数

1全排列 把n个不同的元素排成一列,叫做这n个元 素的全排列(或排列) n个不同的元素的所有排列的种数用P表示

一、实验目的 l．掌握 CMOS 集成门电路的逻辑功能和器件的使用规则。 2．学会 CMOS 集成门电路主要参数的测试方法 二、实验原理 1．CMOS 集成电路是将 N 沟道 MOS 晶体管和 P 沟道 MOS 晶体管同时用于一个集成电路中，成为组合二种沟道 MOS 管性能的更优良的集成电路，CMOS 集成电路的

NEW WORDS AND PHRASES personalize[pa: sanal a iz]v.使个人化 convenient[kan'vi: n an t]a.便利的,方便的 rapidity[ra' p i d i t i]n.快,迅速 severe[si'via]a.严格的,严重的 estrict[ris' trik t]v.限制,约束 vary[' v Ear I]v.改变,变化,不同

第一节 引 言 ( Introduction) 第二节 先 导 化 合 物 的 产 生 ( L e a d d i s c o v e r y ) 第三节 先 导 物 的 优 化 ( L e a d O p t i m i z a t i o n )

The finite element method In FEMi we derale finite element equations fro PVD swe- SWe and obtained: K0=R:=4…n waere n:number of element nodal p Ue: elenent nodal displace ents