本章主要讨论直流电机的基本结构和工作原理,讨论直流电 机的磁场分布、感应电动势、电磁转矩、电枢反应及影响、换向及改善换向方法,从应用角度分析直流发电机的运行特性和直流电动机的工作特性。 1.1直流电机的基本工作原理与结构 1.2直流电机电枢绕组简介 1.3直流电机的电枢反应 1.4直流电机的电枢电动势和电磁转矩 1.5直流电机的换向 1.6直流发电机 1.7直流电动机

测定了五孔喷头射流速度的衰减速率。测定结果表明,由于中孔射流和边孔射流的边界条件不同,因而它们的速度衰减速率不同。当中孔和边孔的直径相等时,在正常的枪位下,射流速度中孔比边孔大一倍。为了充分地利用五孔喷头的射流对熔池的有效和均匀的搅拌作用,要求作用于熔池面时,中孔射流的速度应等于或略大于边孔射流的速度,为此设计五孔喷头时应使中孔面积（A中）小于每个边孔面积（A边）。测定结果得出A中/A边应为0.6～0.8

5.1查询的基本知识 5.2创建查询 5.3用设计视图创建和修改查询 5.4高级查询 5.5查询应用实例 5.6习题

第一章绪论 第二章MCS51单片机的结构和原理 第三章MCS51指令系统 第四章汇编语言程序设计 第五章MCS-51单片机内部定时/计数器及其应用 第六章单片机系统扩展 第七章MCS51系统的串行接口 第八章MCS-51单片机的中断系统 第九章单片机应用系统的组成

一、掌握分散系统的分类和胶体系统的制备; 二、重点掌握胶体系统的光学、动力和电学性质 及其应用; 三、理解溶胶的稳定与聚沉的原理,学会书写胶团结构表示式,学会计算聚沉值和比较聚沉能力; 四、了解悬浮液、乳状液、泡、气溶胶以及高分子化合物溶液的性质和应用。 ◼ 引言 ◼ §12.1 胶体系统的制备 ◼ §12.2 胶体系统的光学性质 ◼ §12.3 胶体系统的动力性质 ◼ §12.4 溶胶系统的电学性质 ◼ §12.5 溶胶的稳定与聚沉 ◼ §12.6 悬浮液 ◼ §12.7 乳状液 ◼ §12.8 泡沫 ◼ §12.9 气溶胶 ◼ §12.10 高分子化合物溶液的渗透压和粘度

针对溶液雾化氧化法制备四氧化三钴粉末过程,研究了工程实验条件下反应温度、雾化压力和氯化钴溶液流量等参数对钴氧化率、粉末粒度和粉末松装密度的影响.在反应温度750℃、氯化钴溶液质量浓度120 g·L-1、压缩空气压力0.23 MPa、氯化钴溶液压力0.15 MPa以及氯化钴溶液流量40 L·h-1条件下,制备的氧化钴再经750℃热处理2 h后,钴氧化率达到100%,钴质量分数为73.04%,松装密度为0.48 g·cm-3,平均粒径为7.61μm.工程实验研究结果表明溶液雾化氧化法可以高效快速制备高品质四氧化三钴粉末,过程简单、清洁,具有产业化应用前景

第一节 二重积分的概念与计算 第二节 二重积分应用举例 *第三节 三重积分的概念与计算 *第四节 对坐标的曲线积分 *第五节 格林（Green）公式及其应用 *第六节 对坐标的曲面积分及其应用

本章引进了应力张量、导出了平衡方程,并且讨论了作为平衡方程通解的应力函数

为了研究逆转变奥氏体在应力和低温条件下的稳定性,通过透射电子显微镜对淬火+回火(QT)和淬火+两相区淬火+回火(QLT)处理9Ni钢中逆转变奥氏体进行形貌观察.结果发现QT处理钢中逆转变奥氏体以块状形态存在;QLT处理钢中逆转变奥氏体以块状和薄膜状存在,薄膜状逆转变奥氏体分布在板条边界上.通过X射线衍射对液氮浸泡前后逆转变奥氏体含量和其碳含量的变化进行测量,发现QLT工艺处理后在液氮中稳定存在的逆转变奥氏体的含量要高于QT工艺.通过三点弯曲试验、单轴拉伸和压缩试验研究其机械稳定性,发现拉应力和压应力均能促使逆转变奥氏体转变,大部分残留奥氏体分布在晶内

真实的弹性体都是空间物体,但当其形状和受力情况具有某些特点时,在数学上可按 平面问题处理。本章先介绍平面应变问题、平面应力问题和广义平面应力问题,然后 在直角坐标系中来解平面问题