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采用光学显微镜、扫描电镜等分析方法研究0Cr6Mn13Ni10MoTi/1Cr5Mo异质接头在时效过程中熔合区组织和增碳层宽度变化特点.结果表明,时效初期0Cr6Mn13Ni10MoTi/1Cr5Mo异质接头在熔合区靠近奥氏体焊缝一侧有一定宽度的增碳层出现,随时效时间延长增碳层逐渐变宽,并且在达到峰值以后又逐渐变窄并最后消失.这种变化规律与传统A302/1Cr5Mo异质接头在时效过程中的变化规律完全不同
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5-1概述 5-2常用从动件的运动规律 5-3凸轮轮廓的设计与加工 5-4凸轮机构基本尺寸的确定
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5-1静矩和形心 5-2极惯性矩、惯性矩、惯性积、惯性半径 5-3平行移轴公式 5-4转轴公式*主惯性轴主惯性矩
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参照实际转炉脱磷炉渣,配制了不同F、P2O5、FeO和MgO含量及碱度的渣样,用化学分析方法测试了不同组分对渣中磷的枸溶率的影响规律.结果表明:当脱磷渣中含有F时,P主要与F形成氟磷灰石,使得磷的枸溶率随渣中F含量的升高而急剧降低,当不含氟时枸溶率可达92.5%,当氟质量分数达到0.5%时枸溶率已降低到50%以下;随碱度增加,由于渣中Ca2+含量增加,破坏了硅氧网络结构,使得枸溶率有所上升;渣中MgO含量升高,由于Mg2+在熔融冷却过程中会抑制β-Ca3(PO4)2晶体的析出,而β-Ca3(PO4)2中磷不易为质量分数为2%的柠檬酸液溶出,而使枸溶率有所升高;随渣中P2O5含量升高,由于P5+与O2-形成络离子,P5+位于O2-密集形成的间隙中,不易溶出,使得枸溶率有所下降;渣中FeOn升高,枸溶率随之降低
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综合练习题 一、从下列四个供选择的答案中选出正确的一个答案 1、语句 printf(%d%d”,123),将输出: A)%123%dB)%%d123 %d123D)上述语句语法有错 “%%”格式表示输出一个“%”。 2、执行下列程序段后,a值为: int a, b; a=15;b=12 a=(a--b++)a%5:a/5 A)0 B)2.8 C)4 D)2 先计算a-==b++的值: a--的值为15,执行后a=14;b++的值为12执行后b=13:15=12为假 执行a5即14/5值为2 结果:a=2 3、判断字符变量c的值为数字(0-9)则返回1,否则返回0,可用表达式: a)0<=c<=9b0<=c&&c=9c0
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利用熔铸-原位反应喷射沉积成形技术制备了TiC颗粒增强A1-20Si-SFe复合材料.分析了内生TiC颗粒对喷射沉积Al-20Si-5Fe合金微观组织的影响.结果表明:喷射沉积A1-20SI-5Fe合金微观组织中常出现脆性、针状的A1-SI-Fe三元金属间化合物相.在A1-20Si-5Fe合金中内生一定量的TiC颗粒,有助于减小粗晶Si颗粒的尺寸、消除针状的A1-Si——Fe三元金属间化合物相
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以从河南铝土矿样筛选出的一株胶质芽孢杆菌HJ07为出发菌株,对其进行紫外(UV)与亚硝基胍(NTG)诱变育种及铝土矿浸矿脱硅研究.分别通过紫外线照射120 s与采用质量浓度为600 mg·L-1的亚硝基胍处理,出发菌株HJ07的致死率分别达到89%与90%,正突变率分别达到16.5%与18.7%.从突变菌株中筛选所得的两株菌种UV-2与NTG-5的生长代谢活性与脱硅能力明显比出发菌株高.在铝土矿浸出体系中,UV-2与NTG-5达到生长稳定期的时间比HJ07分别缩短了48 h与24 h,且生长稳定期具有更大的细菌浓度.浸矿12 d后,UV-2与NTG-5菌株浸出液中SiO2的质量浓度分别比HJ07提高了约25.6%与12.5%,且达到浸出终点的时间分别缩短了3 d和2 d.UV-2与NTG-5菌株较出发菌株HJ07具有更强的产酸与产胞外聚合物的能力.被UV-2菌株作用后的铝土矿表面的溶蚀程度更加显著,矿物表面形成了明显的菌胶团
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实验室条件下,进行了碳饱和铁水还原CaO-SiO2-Al2O3-MgO-V2O5渣中V2O5反应的动力学研究.在考察了各种因素对还原反应速度和反应程度影响的基础上,进一步探讨了还原反应机理,计算了各种条件下的表观速度常数.研究表明:高温、合适碱度、大铁渣比以及高初始V2O5含量,使得还原反应进行得较快,效果较好.反应达到平衡之前,还原反应为表观一级反应.计算得到还原反应的表观活化能为23.21kJ·mol-1,表明反应的限制性环节为铁液中V的扩散传质
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1 The switch in Fig.5-27 is opened at=0, Find i (0*) and v (0*) 1kΩ D100v 1k2 Fig. 5-27 For prob.1. The switch is closed at= 0 in Fig.5-28. Find i(*) and ic(0*) if the capacitor is initially
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5-1 概述 5-2 时序逻辑电路的分析方法 5-3 若干常用的时序逻辑电路 5-4 时序逻辑电路的设计方法
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