本课程是一门将微机原理与单片机结合起来的技术基础课，通过本课程的学习，目的是使学生能掌握单片微机的组成结构、工作原理、编程方法和接口技术等方面的知识，培养学生的微机应用能力。其主要任务是讲授微机基本组成、MCS—51单片机结构，汇编语言程序设计、中断与定时、并行接口、模拟与数字转换接口和串行接口等内容

❖ 8.1 单片机并行扩展的总线结构及编址技术 ❖ 8.2 存储器的并行扩展 ❖ 8.3 单片机应用系统中并行I/O端口的扩展 ❖ 8.4 并行A/D和D/A转换器及其与单片机的接口 ❖ 8.5 单片机与LED显示器及键盘接口 ❖ 8.6 单片机与液晶显示器LCD接口 ❖ 8.7 单片机与打印机接口

设计了一个由混凝土、矿粉和尾砂等材料制成的带空洞的实验模型.在模型的预留空洞中,分别充填水、砂、泥和空气进行了模拟实验,研究不同充填介质在探地雷达探测图像中表现出的特征及差异,进而辨别不同充填介质.论述了采空区探地雷达探测原理与方法,并通过在甘肃厂坝铅锌矿进行现场试验,分析、识别了采空区内充填物类型及状态.实践表明,应用探地雷达技术,可以高效、准确地探测采空区及其充填情况

第一节 绪论 第二节 氧化还原反应 一、电极电位 二、条件电位及影响因素 三、氧化还原反应进行的程度 四、氧化还原反应的速度 第三节 氧化还原滴定 一、滴定曲线 二、指示剂 三、氧化还原预处理 第三节 氧化还原滴定法的应用 一、碘量法 二、KMnO4法 三、K2Cr2O7法 四、其他氧化还原方法

第一节 绪论 第二节 氧化还原反应 一、电极电位 二、条件电位及影响因素 三、氧化还原反应进行的程度 四、氧化还原反应的速度 第三节 氧化还原滴定 一、滴定曲线 二、指示剂 三、氧化还原预处理 第三节 氧化还原滴定法的应用 一、碘量法 二、KMnO4法 三、K2Cr2O7法 四、其他氧化还原方法

第一节 绪论 第二节 氧化还原反应 一、电极电位 二、条件电位及影响因素 三、氧化还原反应进行的程度 四、氧化还原反应的速度 第三节 氧化还原滴定 一、滴定曲线 二、指示剂 三、氧化还原预处理 第三节 氧化还原滴定法的应用 一、碘量法 二、KMnO4法 三、K2Cr2O7法 四、其他氧化还原方法

氢气氛下区熔拉制的鼓棱无位错硅单晶,原生晶体经化学腐蚀,观察不到缺陷,包括微缺陷。但当块状热处理后,经腐蚀常常观察到尺度mm数量级的氢致缺陷(φ型缺陷、麻坑)和微缺陷氢沉淀。为了消除这些缺陷,原生单晶需片状供应,片厚应小于1mm,或中照后的区熔(氢)硅单晶,片状,940℃、0.5h退火,均能消除之。在电力电子器件的应用中,管芯等级合格率可保持在80%以上

《复变函数与积分变换》课程教学资源（PPT课件）第五章 留数及应用 第二讲 留数及其应用、对数留数与辐角原理

2.1 芯片内部结构及特点 2.2 C54x的内部多总线结构 2.3 C54x的中央处理单元(CPU) 2.4 C54x的存储器结构 2.5 复位操作及省电方式 2.6 中断系统 2.7 流水线 2.8 引脚及其功能

层析（chromatography） 原理：待分离蛋白质溶液（流动相）经过一个固态物 质（固定相）时，根据溶液中待分离的蛋白质颗粒大 小、电核多少及亲和力等，使待分离的蛋白质组分在 两相中反复分配，并以不同的速度流经固定相而达到 分离蛋白质的目的