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基于Contourlet变换的连铸坯表面缺陷识别
文档格式:PDF 文档大小:1.31MB 文档页数:6
根据连铸坯表面图像的特点,提出了一种基于Contourlet变换的连铸坯表面缺陷识别方法.通过Contourlet变换将样本图像分解成不同尺度和方向的子带,提取子带的Contourlet系数特征,并结合样本图像的纹理特征,得到一个高维的特征向量.利用监督核保局投影算法对高维特征向量进行降维,将降维后的低维特征向量输入支持向量机,对连铸坯表面图像进行分类识别.对现场采集到的裂纹、氧化铁皮、光照不均和渣痕四类样本图像进行实验,本文提出的识别方法对样本图像的识别率可达94.35%,优于基于Gabor小波的识别方法
成都纺织高等专科学校染化与环境工程系:《有机化学》第五讲 染料
文档格式:PPT 文档大小:205KB 文档页数:12
早在1834年,人们就从胡萝卜和植物叶上分别提取了胡萝卜素和叶绿素,以 后又进一步发现,这些物质的颜色与它们的分子结构有关。而染料的分子结构与 颜色的关系则是在1856年珀金发明了第一个合成染料以后,才开始引起人们的注 意,并对有机物呈色的原因提出了各种理论。随着光谱科学的发展,人们不仅能 测出不同物质的吸收光谱图,而且还可通过吸收光谱来了解物质的结构,由此确 定:任何物质的颜色是由于其对可见光产生了选择性吸收的结果,染料的颜色与 结构的关系实质上就是染料分子对光的选择吸收特性与结构之间的关系
《分析化学》课程电子教案(PPT课件讲稿)第十四章 紫外——可见分光光度法(2/3)
文档格式:PPT 文档大小:1.4MB 文档页数:21
第三节 基本原理 一、Lamber-Beer定律 二、吸光系数和吸收光谱 三、偏离Beer定律的因素 四、透光率的测量误差 第四节 紫外分光光度计
《水质分析手册》FHZHJSZ0040 水质总氮的测定碱性过硫酸钾消解紫外分光光度法
文档格式:PDF 文档大小:22.52KB 文档页数:3
1范围 1.1主题内容 本方法用碱性过硫酸钾在120~124C消解、紫外分光光度测定水中总氮 1.2适用范围 本方法适用于地面水、地下水的测定。本法可测定水中亚硝酸盐氮、硝酸盐氮、无机铵 盐、溶解态氨及大部分有机含氮化合物中氮的总和
300t顶底复吹转炉炉渣磷酸盐容量计算分析及预测模型
文档格式:PDF 文档大小:477.3KB 文档页数:7
通过对某钢厂脱磷转炉炉渣磷酸盐容量计算和分析并结合前人的研究成果,得出实测炉渣磷酸盐容量与炉渣中碱性氧化物含量、炉渣光学碱度、炉渣中全铁含量和温度的变化关系,并结合生产数据拟合出炉渣的组成与炉渣磷酸盐容量的表达式.将文献报道的不同炉渣磷酸盐容量模型的计算值与实测值进行了对比和分析.基于共存理论建立了本渣系炉渣磷酸盐容量预测模型,误差分析表明该预测模型准确可信,将为现场生产提供理论指导
沈阳药科大学:《仪器分析》课程教学资源(PPT课件讲稿)第十四章 紫外——可见分光光度法(14.3-14.4)
文档格式:PPT 文档大小:1.4MB 文档页数:21
第三节 基本原理 一、Lamber-Beer定律 二、吸光系数和吸收光谱 三、偏离Beer定律的因素 四、透光率的测量误差 第四节 紫外分光光度计
《旅行社管理》课程教学资源(案例)案例分析10
文档格式:DOC 文档大小:23.5KB 文档页数:2
在70多年前,中国旅游业务仅为少数洋商所办的旅行机构所垄断。他们主要以西方侨 民为服务对象,中国旅客常遭藐视,出了高价买气受的情况时有发生,上海商业储蓄银行的 创始人陈光甫也曾遭到冷落。这引起了他的深思,有感于洋人在华投资雄厚,又经营我国国 内的旅行业,最觉可耻的是国人自甘落后。考虑再三,决定创办中国人自己的旅行社。 1923年8月,上海商业储蓄银行旅行部正式宣告成立,以后又在各地设立分部
北京大学:《病理学》课程PPT教学课件(讲稿)继发性肾小球肾炎、肾肿瘤
文档格式:PPT 文档大小:1.77MB 文档页数:59
IgA肾病或肾小球肾炎 病因发病机制:粘膜损伤→IgA形成→含IgA的大 分子的免疫复合物沉积于肾小球 病变特点: 免疫病理:以IgA为主的免疫球蛋白和C3沉积于系膜区。 光学显微镜:局灶性或弥漫性的,除膜性肾小球肾炎以外的各型肾小球肾炎。 临床表现:可出现血管炎和紫癜及各型肾炎综合 征
沈阳药科大学:《分析化学》课程教学资源(PPT课件)第十四章 紫外可见分光光度法(2/3)第三节 基本原理、第四节 紫外分光光度计
文档格式:PPT 文档大小:1.4MB 文档页数:21
第三节 基本原理 一、Lamber-Beer定律 二、吸光系数和吸收光谱 三、偏离Beer定律的因素 四、透光率的测量误差 第四节 紫外分光光度计
《芯片制造半导体工艺实用教程》教学课件(PPT讲稿)第四章 芯片制造概述
文档格式:PPT 文档大小:2.44MB 文档页数:10
概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)
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