5.1 芳烃的构造异构和命名 5.1.1 构造异构 5.1.2 命名 5.2 苯的结构 5.2.1 价键理论 5.2.2 分子轨道理论 5.2.3 共振论对苯分子结构的解释 5.3 单环芳烃的物理性质 5.4 单环芳烃的化学性质 5.4.1 芳烃苯环上的反应 (a) 卤化 (b) 硝化 (c) 磺化 (f) 氯甲基化 5.4.2 芳烃侧链烃基上的反应 (1) 卤化反应 (2) 氧化反应 (3) 聚合反应 5.5 苯环上亲电取代反应的定位规则 5.5.1 两类定位基 5.5.2 芳环上亲电取代反应定位规则的 理论解释 5.5.3 二取代苯亲电取代的定位规则 5.5.4 亲电取代定位规则在有机合成上的应用 (d) Friedel–Crafts 烷基化反应 (e) Friedel–Crafts 酰基化反应 5.6 芳香族亲电取代反应中的动力学和 热力学控制 5.7 稠环芳烃 5.7.1 萘 (1) 萘的结构 (2) 萘的性质 (3) 萘环上二元亲电取代反应的定位规则 5.7.2 其它稠环芳烃 5.8 芳香性 5.8.1 Hüchel 规则 5.8.2 非苯芳烃 芳香性的判断 (1)轮烯 (2) 芳香离子 (3) 并联环系 5.9 富勒烯 5.10 芳烃的工业来源 5.10.1 从煤焦油分离 5.10.2 从石油裂解产品中分离 5.10.3 芳构化 5.11 多官能团化合物的命名

第12章 位运算 12.1 位运算符和位运算 12.2 位运算举例 12.3 位段

苫味和甜味同样依赖于分子的立体化学结构,两种感觉都受到分子特性 的制约,从而使某些分子产生苦味和甜味感觉。糖分子必须含有两个可以由 非极性基团补充的极性基团,而苦味分子只要求有一个极性基团和一个非极 性基团。有些人认为,大多数苦味物质具有和甜味物质分子一样的AH/B部分 和疏水基团,位于感觉器腔扁平底部的专一感觉器部位内的AH/B单位的取向, 能够对苦味和甜味进行辨别。适合苦味化合物定位的分子,产生苦味反应, 适合甜味定位的分子引起甜味反应,如果一种分子的几何形状能够在两个方 位定位,那么将会引起苦味-甜味反应

基底节区出血约占高血压脑出血的70%以上 ,是临床上最常见的脑出血部位。随着微创 清除术在脑出血中的应用,如何能快速、准 确的定位,一直是基层医院临床工作者关注 的问题,特别是对初学者。 ·目前,临床上定位的方法较多,如应用立体 定向仪或CT扫描下定位等,这些方法要么操 作较繁琐,要么不易掌握,而且,增加了病 人的搬动次数,尤其对危重病人不利。笔者 总结近5年来的临床经验,摸索出一套快速 、简便、准确的根据CT片的定位方法,简称 “331定位法

7-1基本概念 (一)配位键与配位化合物 第6章曾讲到:由一个原子或原子团提供一对e,另一个 原子提供一个空轨道,形成的化学键(如CO中)为配位键 ·配位键普遍存在于配位化合物 Coordinate compounds ·过去称为络合物 Complex——结构复杂的化合物 ·近来发现其结构也谈不上复杂→改称为配位化合物 ·配位化合物中除都存在配位键外,一般还存在其他化学 键,如离子键,因此: (二)配位化合物的组成

转炉炼钢利用供氧枪位的改变实现前期化渣、中期脱碳升温以及后期强化搅拌的目的.本文基于100t炼钢转炉，研究了四孔超音速氧枪喷吹时枪位变化对熔池流动状况的影响.研究发现：低枪位有利于增加射流冲击深度，加速熔池表层钢液；高枪位有利于增大射流冲击面积，促进钢液速度在径向方向上均匀分布，增加熔池底部钢液速度.随着枪位从1.2m提高至1.8m，冲开渣层的直径从2.119m增加为2.645m，射流的冲击深度显著降低

利用激光-超高压电子显微镜系统在500℃对SUS316L奥氏体不锈钢进行了电子束辐照和脉冲激光-电子束双束同时辐照(以下简称:同时辐照),通过观察和分析辐照后自由晶界处无空洞区域以及元素偏析,以电子束辐照结果为标准,对比研究了同时辐照对空位扩散的影响.结果表明:同时辐照后的无空洞区域宽度为48 ±16 nm,小于电子辐照的71 ±27 nm;不论在偏析程度还是偏析宽度上,同时辐照条件下Cr和Ni的偏析都小于对应的电子束辐照;同时辐照下空位的扩散通量仅为电子束辐照的45.7%.通过分析得出,和电子辐照相比,同时辐照促进了空位与间隙原子的再结合,限制空位向尾闾扩散,进而造成流入尾闾的空位数量减少,极大地抑制了辐照偏析与肿胀.脉冲激光-电子束双束同时辐照可以为探索抑制肿胀方法提供新的思路

第十章位移法 10.1概述 10.2等截面直杆的转角位移方程 10.3位移法的基本未知量和基本结构 10.4位移法的典型方程及计算步骤 10.5直接由平衡条件建立位移法基本方程 10.6对称性的利用

内容 3.1结构位移计算概述 3.2虚功原理 3.3结构位移计算的一般公式 3.4静定结构在载荷作用下的位移计算 3.5温度作用时的位移计算 3.6支座下沉的位移计算 3.7图乘法

第一章绪论 一、微机硬件基础 1、发展概况(CPU) 第一代:4位, Intel44004, 第二代:8位,Inte188080等, 第三代:16位, Intel88086,80186,80286等, 第四代:32位, Intel80386,80486等, 第五代:64位, Intel5586(Pentium), Power PC等, 第六代:64位, Pentium Pro, Pentium2及以上