点击切换搜索课件文库搜索结果(315)
文档格式:PDF 文档大小:2.79MB 文档页数:43
1. Why CMOS? 2. CMOS Process Step
文档格式:PPT 文档大小:1.35MB 文档页数:92
蒸气压及蒸发 VOCs污染预防 VOCs污染控制方法和工艺
文档格式:PDF 文档大小:4.86MB 文档页数:142
6.1 概述 6.2 石油的蒸馏 6.3 催化裂化 6.4 催化重整 6.5 石油加工工艺的基本特点综述
文档格式:PPT 文档大小:269.5KB 文档页数:5
【教学目的】使学生掌握金属塑性成形的机理及各种塑性成形的方法, 熟悉金属塑性成形工艺设计
文档格式:PPT 文档大小:11.85MB 文档页数:91
9.2 零件图内容 9.3 零件图的视图选择和尺寸标注 9.4 零件图的技术要求 9.6 读零件图 9.5 零件结构的工艺性简介 9.7 零件的测绘 9.1 概 述
文档格式:PPT 文档大小:358KB 文档页数:19
场效应管用FET表示(Field Effect Transistor)。具有输入电阻高、热稳定性好、工艺简单、易于集成等优点
文档格式:PDF 文档大小:413.95KB 文档页数:22
§1 国际及部分国家标准化组织简介 §2 WTO对标准化工作的要求 §3 发达国家技术标准研究发展战略 §4 我国的现状与机会
文档格式:PDF 文档大小:691.44KB 文档页数:41
从光电子与微电子相似的发展规律出发,阐述微电子对于信息技术的重要作用以及对发展光电子产业的启迪。正确把握光电子与微电子相互促进、相互依存、并行发展的客观规律。信息的需求量仍呈指数增长,必须保持清醒的头脑,“机遇与挑战并存”对发展光电子与信息产业上更具现实意义
文档格式:PPT 文档大小:2.44MB 文档页数:10
概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)
文档格式:PPT 文档大小:2.44MB 文档页数:10
一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)
首页上页1920212223242526下页末页
热门关键字
搜索一下,找到相关课件或文库资源 315 个  
©2008-现在 cucdc.com 高等教育资讯网 版权所有