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§1.1 半导体物理与微电子学的关系 §1.2 微电子学与半导体物理发展之间关系 §1.3 集成电路技术的发展规律 §1.4 微电子技术发展趋势和面临的挑战 §1.5 本课程的定位和内容安排
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1.1 电力电子器件概述 1.1.1 电力电子器件的概念和特征 1.1.2 应用电力电子器件的系统组成 1.1.3 电力电子器件的分类 1.1.4 本章内容和学习要点 1.2 不可控器件——电力二极管 1.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 1.2.2 电力二极管的基本特性 1.2.3 电力二极管的主要参数 1.2.4 电力二极管的主要类型 1.3 半控型器件——晶闸管 1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 1.3.2 晶闸管的基本特性 1.3.3 晶闸管的主要参数 1.3.4 晶闸管的派生器件 1.4 典型全控型器件 1.4.1 门极可关断晶闸管 1.4.2 电力晶体管 1.4.3 电力场效应晶体管 1.4.4 绝缘栅双极晶体管 1.5 其他新型电力电子器件 1.5.1 MOS控制晶闸管MCT 1.5.2 静电感应晶体管SIT 1.5.3 静电感应晶闸管SITH 1.5.4 集成门极换流晶闸管IGCT 1.5.5 功率模块与功率集成电路 1.6 电力电子器件的驱动 1.6.1 电力电子器件驱动电路概述 1.6.2 晶闸管的触发电路 1.6.3 典型全控型器件的驱动电路 1.7 电力电子器件的保护 1.7.1 过电压的产生及过电压保护 1.7.2 过电流保护 1.7.3 缓冲电路(Snubber Circuit) 1.8 电力电子器件的串联和并联使用 1.8.1 晶闸管的串联 1.8.2 晶闸管的并联 1.8.3 电力MOSFET和IGBT并联运行的特点
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北京君正集成电路股份有限公司2020年度审计报告
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6.3.1 差动输入单片集成CMOS电压比较器 6.3.2 高精度自稳零CMOS集成电压比较器
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6.1.1 MOS电流源 6.1.2 MOS单级放大器
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本节讨论结型场效应管JFET和金属-氧化物-半导体构成的绝缘栅场效应管MOSFET
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在同一片半导体基片上,分别制造P型半导体和N型半导体,经过载流子的扩散,在它们的交界面处就形成了PN 结
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一、概念 基于光波的衍射理论,运用计算机辅助设计, 并运用超大规模集成电路制作工艺,在片基上刻蚀 产生两个或多个台阶深度的浮雕结构,形成纯相位、 同轴再现、具有极高衍射效率的一类衍射光学元件。 随之形成的一门新的学科分支,称二元光学
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一、组合逻辑电路某一时刻的输出只取决于此时刻的输入。 二、时序逻辑电路某一时刻的稳定输出不仅取决于当时的输入,还取决于过去的输入(历史状态)。 三、因此记忆元件(Memory Devices)是时序逻辑电路的基本元件
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7 – 1 集成运算放大器在基本运算中的应用 7 – 2 有源RC及开关电容滤波器 7 – 3 集成运算放大器精密二极管电路 7 – 4 电压比较器及弛张振荡器 7 – 5 模拟开关 7 – 6 集成运算放大器选择指南
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