• 1. 使用门构成基本R-S门 • 2. 能解释R-S门和D-门的区别 • 3. 区分门和触发器的区别 • 4. 解释R-S触发器,D-触发器和J-K触发器之间的区别 • 5. 解释边沿和主从式触发器的区别 • 6. 几个主要参数：建立时间，保存时间，最大工作频率 • 7. 触发器的基本应用

 S.1 Prototype adaptive filter  Filter structure  Quadratic cost functions  S2. Wiener filter theory  MMSE criterion  Wiener-Hopf equations  Orthogonality principle  S3. Unrealizable Wiener filter

• Basic Concepts • Passive Components that Dissipate Energy (R’s) • Basic Network Analysis Techniques • Passive Components that Store Energy (L’s & C’s) • Introduction to RL & RC Circuits

1. Input-output economics, the foundation of CGE & GSC (a) the input-output table (b) national accounts (c) the one-country input-output model (d) the Leontief paradox (e) effective rates of protection (e) the multi-regional or multi-national I-O model - starting point for CSC analysis 2. CGE modelling (a) Johansen’s model of Norway (b) Johansen’s solution matrix versus Leontief’s inverse (c) trade in a CGE model, Armington to Melitz 3. Applying existing CGE models to supply chain issues (a) Walmsley & Minor on reversing NAFTA (b) Dixon, Rimmer and Waschik on Buy-America(n) 4. Towards a CGE model with supply chain features: designs, components, assembly and sales 5. Concluding remarks

§12-1 拉普拉斯变换及其几个基本性质 §12-2 电路的S域模型 §12-3 零状态分析 §12-4 网络函数和冲激响应 §12-5 线性时不变电路的叠加公式

8.1 系统并行扩展结构 8.2 地址空间分配和外部地址锁存器 8.2.1 存储器地址空间分配 8.2.2 外部地址锁存器 8.3 静态数据存储器RAM的并行扩展 8.3.1 常用的静态RAM（SRAM）芯片 8.3.2 外扩数据存储器的读写操作时序 8.3.3 AT89S52单片机与RAM的接口设计与软件编程 8.4 片内Flash存储器的编程 8.4.1 使用通用编程器的程序写入 8.4.2 使用下载线的ISP编程 8.5 E2PROM的并行扩展 8.5.1 并行E2PROM芯片简介 8.5.2 E2PROM的工作方式 8.5.3 AT89S52单片机扩展E2PROM AT2864的设计

9.1 模数转换器的工作原理及性能指标 9.1.1 模数转换器的工作原理 9.1.2 模数转换器的性能指标 9.2 IAP15W4K58S4单片机片内集成的模拟量模块 9.2.1 IAP15W4K58S4集成的A/D模块的结构及其使用 9.2.2 IAP15W4K58S4集成的比较器模块及其使用 9.3 数模转换器及其应用 9.3.1 数模转换器的工作原理及性能指标 9.3.2 12位D/A转换器TLV5616及其接口技术

3.1 理解模型机的结构及工作过程 3.2 掌握IAP15W4K58S4单片机的内部结构 3.3 掌握IAP15W4K58S4单片机存储器 3.4 掌握单片机的引脚（I/O口的使用） 3.5 掌握单片机应用系统的典型构成

论述了利用三参数威布尔分布描述机械零件疲劳寿命,并在一定置信度下求R-S-N曲线的方法.即根据试验所得的应力-寿命样本,运用优化方法对三多数威布尔分布参数进行估计;并在一定置信度下,求出不同可靠度的疲劳寿命,进而拟合出C-R-S-N曲线,求出相应的疲劳极限应力值

研究了几种钙钛矿结构以及类钙钛矿结构材料的电导性能.实验表明,La0.8Sr0.2MnO3, La0.8Sr0.2Ni0.1Mn0.9O3,La0.8Sr0.2Ce0.1Mn0.9O3和SrFe0.5Co0.5O3电导率相差不大,均为10-1S·cm-1数量级;高温熔盐中耐侵蚀性能优良的LaLiMnOy和LaLi0.5MnOy电导率差别很大,前者电导率大于1 S·cm-1,达到了MCFC阴极对材料电导性能要求,而后者仅为10-2S·cm-1数量级.高达0.191 eV的电导激活能可能是LaLi0.5MnOy电导率过低的原因