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通过分析太钢4350m3高炉(5#高炉)炉缸以上冷却系统的设计特点,研究其在高煤比、高产量情况下炉内煤气流分布对炉体热负荷的影响.结果表明:太钢5#高炉的边缘气流指数W值控制在0.55左右;中心气流指数Z值应控制在8.8左右;5#高炉下部炉腰炉腹的热负荷较为稳定,而炉身的中上部稳定性较差;5#高炉的热负荷还有降低的潜力,热负荷控制在10~120GJSh-1范围4350m3高炉仍可稳定操作
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研究了不同固溶温度和稳定化处理工艺后GH864合金的裂纹扩展情况.通过分析合金的微观组织,断口形貌以及lga-lgNi/Nf、da/dN-a及da/dN-N曲线特征,定量计算了裂纹萌生期、稳态扩展期及失稳瞬断期在整个疲劳断裂过程中所占比例,并进一步分析影响各自比例的微观组织因素.结果表明:随着固溶温度的升高,晶粒尺寸增加,合金的裂纹扩展速率降低,同时裂纹的萌生期的比例降低,而裂纹的扩展期比例则会增加;随稳定化时间的延长和温度的升高,晶界碳化物析出量增加,降低了合金的裂纹扩展速率,但是裂纹萌生期的比例在逐渐增加
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1结构设计:强度、刚度、稳定性(有细长杆的结构、受压、受拉)(细长柱、长柱、短柱、超短柱) 2平衡状态(干扰影响):稳定平衡;随遇平衡、中性平衡;不稳定平衡
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7.1 聚丙烯树脂牌号开发的目的、意义及采用的手段和方法 7.1.1 牌号开发的目的和意义 7.1.2 牌号开发的现状 7.1.3 牌号开发采用的手段和方法 7.2 树脂牌号开发中常用添加剂及其作用机理 7.2.1 概述 7.2.2 抗氧剂 7.2.2.1 抗氧剂作用机理 7.2.2.2 抗氧剂的分类 7.2.2.3 选择抗氧剂的要求 7.2.3 光稳定剂 7.2.3.1 简介 7.2.3.2 光稳定剂的分类与作用机理 7.2.3.3 选择光稳定剂的要求 7.2.4 铜抑制剂 7.2.5 抗静电剂 7.2.6 成核剂 7.2.7 爽滑剂、开口剂 7.2.8 分子量调节剂 7.2.9 抗菌剂 7.2.10 润滑剂 7.3 树脂牌号开发中添加剂配方设计 7.3.1 概述 7.3.1.1 配方设计原则 7.3.1.2 添加剂的选择依据 7.3.1.3 加入添加剂的效应 7.3.2 聚丙烯配方设计与实例 7.3.2.1 聚丙烯抗氧化配方设计 7.3.2.2 添加铜抑制剂的聚丙烯配方设计及实例 7.3.2.3 抗静电聚丙烯配方设计及实例 7.3.2.4 添加成核剂的聚丙烯配方设计及实例 7.3.2.5 添加爽滑剂、开口剂聚丙烯配方设计及实例 7.3.2.6 添加相对分子质量调节剂的聚丙烯配方设计及实例。 7.3.2.7 添加抗菌剂的聚丙烯配方 7.4 聚丙烯牌号开发中树脂微覌结构设计探讨 7.4.1 双轴取向聚丙烯薄膜(BOPP) 7.4.1.1 双轴取向聚丙烯薄膜生产过程简述 7.4.1.2 树脂微观结构对工艺过程的影响。 7.4.2 聚丙烯流涎薄膜 7.4.2.1 流涎膜生产过程 7.4.2.2 流涎膜对树脂要求 7.4.3 聚丙烯纤维(丙纶) 7.4.3.1 生产方法与品种 7.4.3.2 聚丙烯纤维所用原料对工艺和产品影响 7.4.4 编织袋用的扁丝 7.4.5 注塑 7.4.6 泡沫成型,热成型等加工工艺用的高熔体强度聚丙烯 7.4.7 高刚性聚丙烯 7.4.8 热水管用聚丙烯 7.4.9 抗冲击型聚丙烯(嵌段聚丙烯)
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5.1系统稳定性的初步概念 5.2劳斯稳定判据
文档格式:PDF 文档大小:566.14KB 文档页数:5
研究了工作4.0×104 h后的GH132合金的组织变化,分析了GH132合金在高于650℃短时过时效条件下的组织稳定性.结果表明:合金组织基本稳定,变化不甚显著;不论是在低温长期时效,还是在短时超温过时效,σ相、Laves等脆性相均不会产生;经过过时效后合金所产生的组织变化仅仅是γ'相的补充析出、聚集长大,以及η相的析出
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12.1影响物质稳定性的主要因素 12.2水的热力学稳定区 12.3电位-pH图的绘制方法与分析 12.4高温水溶液热力学和电位一pH图
文档格式:PDF 文档大小:828.54KB 文档页数:5
对交流电场作用下定向凝固组织的研究发现,交流电场对定向凝固组织有细化作用,且随电流的增大,其效果越明显,同时交流电场使凝固界面的溶质含量减小.通过对电场各种作用的分析发现:界面的化学势的减小使界面的稳定性增加;但界面能的增大、活度系数的减小以及界面溶质层内的震荡会使界面变薄,使界面的稳定性减小,从而破坏了胞晶的稳定生长,使柱状胞晶变成细碎的晶体.
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10-1压杆稳定性的概念 10-2细长压杆临界力的欧拉公式 10-3超过比例极限时压杆临界应力 10-4压杆的稳定校核及其合理截面
文档格式:PDF 文档大小:422.69KB 文档页数:5
本文从二元系中稳定化合物与液相平衡关系入手,导出了由稳定化合物的熔化焓计算二元系活度的新公式。通过对In-Sb二元系的活度计算验证了本方法的可行性,并用这一新方法预报了半导体Ga-As二元系的活度
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