传感器概述 金属温度传感器 热电偶 热敏电阻 霍尔传感器 磁阻传感器 电场测量探头 电涡流传感器 压电传感器 光电传感器 电容式传感器 电感式传感器 差动传感器与测量电桥

6.4 在恒定磁场中电子的运动 一. 恒定磁场中的准经典运动 二. 自由电子的量子理论 三. 晶体中电子的有效质量近似 四. 回旋共振 五. 霍尔效应 六. De Haas－Van Alphen效应 6.5 能带结构的实验研究 一.软 X 射线的发射与吸收 二.光吸收与磁光吸收 三.回旋共振与Azbel-Kaner 共振 四.反常趋肤效应 五.磁声技术

7.1 概述 7.2 光电元件 7.3 光电传感器 7.4 光电传感器的应用

反馈在电子系统中把输出回路的电量(电压或电流)馈送到输入回路的过程

一、镜象电流源 二、精密镜象电流源 三、微电流源

1. 核外电子运动状态及特性 ① 氢光谱和氢原子的Bohr模型 ② 电子的波粒二象性 ③ 测不准原理 2. 氢原子的波函数 ① 量子数 ② 原子轨道的角度分布 ③ 原子轨道的径向分布 3. 多电子原子的原子结构 ① 多电子原子的能级 ② 原子的电子组态 4. 原子的电子组态与元素周期表 ① 原子的电子组态与元素周期表 ② 元素性质的周期性变化规律 5. 元素和人体健康

探测器件 热光电探测元件 光电探测元件 气体光电探测元件 外光电效应 内光电效应 非放大型 放 大 型 光电导探测器 光磁电效应探测器 光生伏特探测器 本征型 掺杂型 非放大 放大型 真空光电管 充气光电管 光电倍增管 变像管 摄像管 像增强器 光敏电阻 红外探测器 光电池 光电二极管 光电三极管 光电场效应管 雪崩型光电二极管

1.半导体物理基础。包括半导体的特性、能 带理论、载流子及运动、载流子对光的吸收、半 导体的PN结及与金属的接触。 2.光电效应。光电器件依据的物理基础主要 是固体的光电效应,就是固体中决定其电学性质 的电子系统直接吸收入射光能,使固体的电学性 质发生改变的现象。例如:光电子发射效应、光 电导效应、光生伏特效应等

光电效应: 光照射某些金属时能从表面释放出电子的效应 产生的电子称为光电子 光电效应是赫兹在1887年发现的.1896年汤姆逊发现了电 子之后,勒纳德证明了光电效应中发出的是电子

采用伪半固态触变成形工艺制备了40%、56%和63%三种不同SiC体积分数颗粒增强Al基电子封装材料，并借助光学显微镜和扫描电镜分析了材料中Al和SiC的形态分布及其断口形貌，测定了材料的密度、致密度、热导率、热膨胀系数、抗压强度和抗弯强度.结果表明，通过伪半固态触变成形工艺可制备出的不同SiC体积分数Al基电子封装材料，其致密度高，热膨胀系数可控，材料中Al基体相互连接构成网状，SiC颗粒均匀镶嵌分布于Al基体中.随着SiC颗粒体积分数的增加，电子封装材料密度和室温下的热导率稍有增加，热膨胀系数逐渐减小，室温下的抗压强度和抗弯强度逐渐增加.SiC/Al电子封装材料的断裂方式为SiC的脆性断裂，同时伴随着Al基体的韧性断裂