10.0引言 10.1小功率整流滤波电路 10.2串联反馈式稳压电路

1.1 信号 1.3 模拟信号和数字信号 1.2 信号的频谱 1.4 放大电路模型 1.5 放大电路的主要性能指标

一、电路原理图的设计步骤 二、图纸的设置 三、网格和光标的设置 四、窗口的设置

10.1 概述 10.2 膨胀式温度计 10.3 热电偶温度计 10.4 电阻温度计 10.5 光辐射测温方法及仪表

本章简要介绍各种半导体，导电特性。 1.1 半导体基本知识 1.3 晶体管 1.4 光电器件 1.5 绝缘栅场效应管

电子自旋的概念是 Pauli在1924年首先提出的。1925年, S.A. Goudsmit和 G Uhlenbeck用它来解释某种元素的光谱精细结构获得成功 Stern和 Gerlaok也以实验直 接证明了电子自旋磁矩的存在。 电子自旋共振( Electron Spin Resonance)缩写为ESR又称顺磁共振( Paramagnetic Resonance它是指处于恒定磁场中的电子自旋磁矩在射频电磁场作用下发生的一种磁 能级间的共振跃迁现象。这种共振跃迁现象只能发生在原子的固有磁矩不为零的顺磁 材料中,称为电子顺磁共振。194年由前苏联的柴伏依斯基首先发现

1. 电子能谱仪的一般构造 2. 超高真空系统(UHV) 3. 激发源 4. 电子能量分析器与检测器 5. 样品的制备和处理 6. 常用附件（中和枪与离子枪） 7. 数据系统

半导体材料是一种特殊的固体材料。固体能带理论的发展对半导体的研究起到了重大的指导作用, 而半导体材料与技术的应用发展又对固体物理研究的深度与广度产生了相对的推进作用。 由于半导体中电子的运动可以是多样化的,其材料的性质与杂质、光照、温度和压力等因素有着密 切的关系。通过半导体物理的研究,可以进一步不断地揭示材料中电子各种形式的运动,阐明它们 运动的规律

8.1 概述 8.1.1 光的特性 8.2 光电效应 8.2.1 外光电效应 8.2.2 光源（发光器件） 8.2.2 内光电效应 8.3 外光电效应器件 8.3.1 光电管及其基本特性 8.3.2 光电倍增管及其基本特性 8.4 内光电效应器件 8.4.1 光敏电阻 8.4.2 光电池 8.4.3 光敏晶体管 8.5 新型光电传感器 8.5.1 高速光电二极管 8.5.2 色敏光电传感器 8.5.3 光固态图象传感器

学习目标：学习光电测距、尺子量距和光学测距三种距离测量原理与方法，在掌握现代光电测距技术原理与方法基础上，掌握钢尺量距、光学视距基本方法。 第一节 光电测距原理 第二节 红外测距仪及其使用 第三节 光电测距成果处理 第四节 钢尺量距原理与方法 第五节 光学测距原理与方法