一 、判 断下列说 法是否正 确 ，用“ √ ”和“ ×”表示判断 结果填入 空内。 （ 1） 在 N 型半导 体中如果 掺入足够 量的三价 元素，可 将其改型 为 P 型半导体。（ ）

7.1半导体存储器的分类 7.2存储器的组成 7.3存储器的主要技术指标 7.4只读存储器(ROM) 7.5随机存储器(RAM) 7.6存储器的扩展

第2章半导体三极管及其基本放大电路 2.1三极管的结构和放大 2.2共射放大电路的组成与静态分析 2.3放大电路动态分析 2.4共集电极和共基极电路

一、(1)√理论上可以吧(2)×半导体电量平衡不带电(3)√(4)×集电极 电流少数载流子漂移运动产生(5)√(6)×耗尽型N沟道MOS管的UG将沟道 电阻变小不是影响输入电阻

第1章 半导体二极管及其应用电路 第2章 半导体三极管及其放大电路 第3章 场效应管及其放大电路 第4章 负反馈放大电路 第5章 集成运算放大器 第6章 信号产生电路 第7章 功率放大电路 第8章 直流稳压电源 第9 章 模拟电子技术在实际中的应用

1.半导体物理基础。包括半导体的特性、能 带理论、载流子及运动、载流子对光的吸收、半 导体的PN结及与金属的接触。 2.光电效应。光电器件依据的物理基础主要 是固体的光电效应,就是固体中决定其电学性质 的电子系统直接吸收入射光能,使固体的电学性 质发生改变的现象。例如:光电子发射效应、光 电导效应、光生伏特效应等

3.1 半导体的基本知识 3.3 半导体二极管 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.2 PN结的形成及特性

6.1 有机半导体中的电子状态与载流子 6.2 载流子的注入与传输机理 6.3 OTFT的结构、原理与特性 6.4 OTFT中的关键材料 6.5 有机半导体材料的成膜技术 6.6 OTFT中的掺杂 6.7 OTFT中的图形化技术

3.1 半导体的基本知识 3.2 PN结的形成及特性 3.3 二极管 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管

3.1 半导体的基本知识 3.3 二极管 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.2 PN结的形成及特性