已知图 1 电路晶体管电流放大倍数 β=400，基区体电阻 rbb’=10Ω，要求： 1． 分析电路的静态工作点 2． 用示波器分析电路的动态，并求出 Au 3． 用波特图仪分析电路的下限截止频率 fL

一、BJT的结构简介： BJT常称晶体管，种类很多,但从外形看，BJT都有三个电极。 根据结构不同，BJT可分成两种类型：NPN型和PNP型。 结构上可分成： 三个区域：基区、发射区、集电 区

CE―CB组合放大器及其交流通 路分别如图2―44(a),(b)所示。由于共基 放大器的输入电阻很小，将它作为负载 接在共射电路之后，致使共射放大器只 有电流增益而没有电压增益。而共基电 路只是将共射电路的输出电流接续到输 出负载上。因此，这种组合放大器的增 益相当于负载为R′

一、 判断题（25 分，每题一分） 1、 保证计算机系统的安全性是系统管理员的工作，与普通用户没有太大的关系。（ ） 2、 在第二代计算机中，以晶体管取代电子管作为其主要的逻辑元件。 （ ）

半导体是电导率介于金属导体和绝缘体之间的一大类导电物体,它们的电导率大约 分布在10cm~103-cm之间。用半导体制成的各种器件有极广泛的用途,通过 不同的掺杂工艺,可以把半导体制成各种电子元件,如作为电子计算机及通讯、自动控 制工程基础的晶体管和集成电路等。另外,半导体对电场、磁场、光照、温度、压力及 周围环境气氛等外部条件非常敏感,因此它是敏感元器件的重要材料

一、名词解释：（每小题 4 分, 共 20 分） (1) 4 度旋转轴：宏观独立操作中的一种。是晶体旋转 900 后与旋转前完全重合

1. 晶格振动能量——经典模型 2. 晶格振动能量——量子模型 3. 比热 4. 频率分布函数的Einstein近似 5. 频率分布函数的Debye近似 6. 定性估计低温下晶格振动对比热贡献

一、晶体特性 property of crystal 二、多晶粉末衍射分析法 multiple crystal powder diffraction analysis 三、单晶衍射分析法 single crystal diffraction analysis

在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN 结

无机化学基本原理 一. 基础无机化学的理论框架 二. 原子结构与元素周期表 三. 化学键理论与分子结构 四. 晶体结构 五. 化学热力学初步 (一) 反应热效应计算(rHm ) (二) 反应自发性(rGm ,  ) (三) 反应极限(K) (四) 热力学函数、三大定律与热力学图形 六. 反应动力学初步 七. 酸碱平衡 八. 沉淀-溶解平衡 九. 配合物与配位平衡 十. 氧化还原反应与电化学 第1章 卤 素 第2章 氧族元素 第3章 氮族元素 第4章 碳族元素 第5章 硼族元素 第6章 铜、锌分族 第7章 d 区过渡元素