采用动电位极化测试和扫描电子显微镜/能谱仪表征, 通过理想动电位极化曲线分析方法和微观腐蚀形貌观察研究了静水压与溶解氧耦合作用对低合金高强钢在质量分数为3.5% NaCl溶液中腐蚀电化学行为的影响. 结果表明: 随着静水压和溶解氧溶度的同时增大, 腐蚀电位先增高而后逐渐降低, 腐蚀电流呈非线性增长; 静水压与溶解氧在腐蚀过程中存在相互竞争抑制关系, 在静水压与溶解氧同时增长过程中, 溶解氧首先促进阴极反应过程并抑制阳极反应过程, 而后静水压逐渐加速阳极过程并对阴极反应过程有一定的抑制作用; 静水压与溶解氧耦合作用加速了腐蚀产物膜的生长, 增加了低合金高强钢表面点蚀坑的数量和生长尺寸

第十章醇、酚、醚 10-1醇 一、醇的结构、分类与命名 二、醇的性质 三、醇的制备 10-2消除反应 一、β—消除反应 二、a—消除反应 10-3酚 一、命名 二、酚的性质

⚫掌握输入/输出接口电路和基本概念、掌握I/O端口编址方法和特点及地址译码方法。 ⚫掌握CPU与外设数据传送的方式方法。 ⚫掌握并行数据接口的基本概念、可编程输入/输出接口芯片8255A的结构、应用及编程方法。 ⚫掌握串行数据接口的基本概念、RS232C串行接口标准、可编程串行接口芯片8250的结构、应用及编程方法。 ⚫ 6.1 微型计算机接口技术概述 ⚫ 6.2 输入与输出 ⚫ 6.3 并行数据接口 ⚫ 6.4 串行数据接口 ⚫ 6.5 DMA接口 ⚫ 6.6 8253可编程定时计数器 ⚫ 6.7 数/模、模/数转换器及其与CPU的接口

相变材料的微胶囊化能解决相变材料在相变过程中的熔融渗出问题，提高相变材料的环境适应性、拓展其应用。本文主要对300 ℃以上的高温相变微胶囊材料的制备及其应用进行阐述，主要论述了相变材料的分类，微胶囊的合成方法，以及高温微胶囊的研究现状。且通过研究表明，具有高熔点、高焓值的氟化物微胶囊是一种非常有应用前景的相变材料

综述了多晶卤化物钙钛矿薄膜的局限性, 卤化物钙钛矿量子点的基本光学性质和制备方法, 以及在光电探测器方面的器件结构研究进展, 并重点介绍了应用在0D-2D混合维度异质结基光电晶体管器件的突破, 包括界面载流子行为和高性能光探测器的构建.最后, 总结了卤化物钙钛矿量子点作为未来商业化应用的光电子器件和电子器件的候选材料所面临的主要问题和挑战, 譬如化学不稳定性、铅毒性问题、量子点与其他材料间界面高效电荷传输等问题, 并提出了解决思路和方法.这为设计和推进高性能、高稳定性卤化物钙钛矿量子点基光电功能化器件的商业化应用指明了方向

概述 一、药物相关基因的分类 二、药物基因组学的研究方法 三、药物基因组学的应用 四、基因芯片技术在药物基因学研究中的应用

设计了不同相构成的超高强DH钢，抗拉强度均大于1300 MPa，组织由铁素体、马氏体、残留奥氏体和极少量碳化物构成。对比了不同相构成对超高强DH钢力学性能和应变硬化行为等的影响，并深入研究了残留奥氏体在超高强度DH钢中的作用机制。结果表明：随着马氏体和残留奥氏体体积分数的增大，铁素体体积分数的减小，实验钢屈服和抗拉强度同时升高，而延伸率呈先增大后减小趋势。软韧相铁素体体积分数的减小和硬相马氏体体积分数的增大导致屈服强度和抗拉强度增加。相对于回火马氏体，淬火马氏体对强度的提升更显著，在拉伸过程中转变的残留奥氏体的量是引起延伸率变化的主要原因，组织中显著的带状组织会造成颈缩后延伸率的明显降低。通过对应变硬化行为的分析表明，随着真应变的增大，应变硬化率呈减小的趋势，在真应变大于2%后的大范围内，对于应变硬化率，DH1>DH2>DH3，主要与铁素体体积分数有关；在真应变大于5.73%后，DH2钢的应变硬化率高于DH1钢和DH3钢，主要与DH2钢中更显著的TRIP效应有关。除了残留奥氏体体积分数，残留奥氏体中的碳含量对TRIP效应同样有显著的影响。较高比例的硬相马氏体组织结合适当比例的软韧相铁素体和残留奥氏体有助于DH2钢获得最良好的强塑积13.17 GPa·%，其中屈服强度达880 MPa，抗拉强度达1497 MPa，均匀延伸率为6.71%，总伸长率为8.8%，颈缩后延伸率为2.09%，屈强比0.59

第八章强度理论 8-1强度理论的概念 8-2四个强度理论及其相当应力 8-3莫尔强度理论及其相当应力 8-4强度理论的应用

§3.1 质谱/质谱基础 §3.2 质谱/质谱仪器 §3.3 质谱/质谱应用

1纯弯曲 2纯弯曲时的正应力 3横力弯曲时的正应力 4弯曲切应力 5*关于弯曲理论的基本假设 6提高弯曲强度的措施