采用区域熔化定向凝固装置,对冷却速度在13~130K/s范围内Ni-5%Cu合金的结晶形貌研究表明:在温度梯度1300K/cm条件下,晶体生长速度v=500μm/s时,不同结晶取向晶粒的结晶形貌不同;当晶体生长速度v=800μm/s时,不同结晶取向晶粒的细胞晶间距不同,亚快速凝固条件下,晶体生长方向对结晶形貌的影响非常显著

1–1 半导体物理基础知识 1–2 PN结及晶体二极管 1–3 晶体二极管及其基本电路 1–4 其它二极管简介

分析了在均匀流场的作用下,金属凝固过程中晶体生长浓度的二维稳态方程的边值问题.运用有限差分法将微分方程数值离散化为线性代数方程组.用初等变换法将该代数方程组分解为多个方程组进行处理,提高了计算效率.模拟结果揭示了在均匀流场作用下, 沿枝晶生长的方向,晶体生长的浓度呈现振荡衰减的本质特征

3.5.1 非简谐效应及其本质 3.5.2 热传导与非简谐效应 3.5.3 热膨胀与非简谐效应

本章讨论的问题: 功率放大是放大功率吗?电压放大电路和功率放大电路有什么区别?2什么是晶体管的甲 类、乙类和甲乙类工作状态?3晶体管的最大耗散功率是否是电路的最大输出功率?晶体 管的耗散功率最大时,电路的输出功率是最大吗?

1、原子严格地周期性排列,晶体具有完整的晶格结构。 2、晶体中无杂质,无缺陷。 3、电子在周期场中作共有化运动,形成允带和禁带—电 子能量只能处在允带中的能级上,禁带中无能级。由本征激发提供载流子一本征半导体——晶体具有完整的(完美的)晶格结构,无任何杂质和缺陷

1.1晶体结构预备知识,半导体晶体结构 1晶体结构的描述(有关的名词) 格点:空间(一维或多维)点阵中的点(结点) 晶列:通过任意两格点所作的(晶列上有一系列格点)

本文针对Cz法晶体生长特点,通过数值模拟的方法,对Cz法生长砷化镓单晶时从引晶、放肩、等径至收尾这一完整工艺过程中晶体的温度场、熔体的温度场和速度场进行了计算,从中分析籽晶和坩埚的转向、转速等因素对流动和传热的影响,并与实际的砷化镓单晶生长过程进行比较,从比较结果看,二者基本吻合

第一节 金属的晶体结构 第二节 金属的结晶 第三节 合金的晶体结构与结晶

4.1 陶瓷表界面 4.1.1晶体的表面与界面 4.1.2晶体对无机非金属陶瓷性能的影响 4.1.2 晶界对无机非金属陶瓷性能的影响 4.1.1 晶体的表面与界面