通过本章节的理论教学：掌握数控加工编程的基础知识，主要包括 插补的基本知识、机床坐标系及工件坐标系、刀具补偿的概念、数 控加工工艺分析、数控加工程序的格式及编程方法等

学习要点： •基本触发器的结构及特点 •触发器的功能描述方法 •触发器的使用方法 5.1 基本触发器 5.1.1 基本RS触发器 5.1.2 钟控RS触发器 5.1.3 D触发器 5.1.4 JK触发器 5.1.5 T触发器和T'触发器 5.1.6 基本触发器的空翻和震荡现象 5.2 边沿触发器

ZnO作为一种典型的直接带隙宽禁带半导体材料极具开发潜力和应用价值.随着图案化技术的不断发展优化,ZnO纳米棒阵列的精确可控制备逐步得到实现.本文综述了利用激光限域技术制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法,并详述了其在太阳能电池和光电化学电池中的应用.激光干涉法制备的ZnO纳米阵列比表面积大且具有直线传输的优势,运用于光伏器件和电化学电池中增加了光吸收同时利于载流子传输,器件性能显著提高.图案化ZnO纳米棒阵列具有可控的三维空间结构,广泛应用关于各类能源器件中,具有极大的研究和应用价值

通过定量金相、扫描电镜、透射电镜和X射线小角度散射方法研究KQ450微合金钢在不同控制轧制条件下,工艺参数对其铁素体晶粒细化和析出物行为的影响.结果表明:加热温度对KQ450微合金钢晶粒粗化比较敏感;析出相是面心立方结构的NbC,VC和V(CN).析出物的平均尺寸随冷却速度的增大而减小

利用真空下氩气保护液相重结晶的方法，对热蒸镀和磁控贱射制得的Insb薄膜进行热处理.X射线衍射和组织分析的结果表明：热处理前薄膜为Insb，In，Sb各相的混合物；重结晶后，基本为InSb单相，InSb晶粒呈规则状外形长大.热处理后室温下的电子迁移率大大提高，由原来的1.31×104 cm2/（V·s）提高到4.47×104 cm2/（V·s）（热蒸镀）和2.15×103 cm2/（V·s）提高到2.04×104 cm2/（V·s）（磁控溅射）

采用热场发射扫描电镜和能谱仪对比研究了武钢、宝钢和新日铁55SiCr悬臂用弹簧钢夹杂物的控制水平.结果表明新日铁弹簧钢采用铝脱氧工艺冶炼获得了较高的洁净度,武钢和宝钢弹簧钢均采用控铝脱氧工艺,但夹杂物塑性化控制水平仍有待提高.对武钢55SiCr悬臂用弹簧钢的冶炼过程系统取样,分析了夹杂物成分的演变规律;根据热力学计算的结果,提出了55SiCr弹簧钢夹杂物塑性化控制的建议,应将[O]控制在0.0009%~0.0020%,[Al]控制在0.0002%~0.0008%

6.1 引言 6.2 反馈系统的状态空间描述 6.3 状态反馈系统的能控性和能观性 6.4 状态反馈极点配置 6.5 状态反馈在系统综合中的其他应用 6.6 状态观测器 6.7 带状态观测器的状态反馈控制系统 6.8 输出反馈控制及最优逼近法在系统综合中的应用 6.9 线性二次型最优控制问题

6.1 引言 6.2 反馈系统的状态空间描述 6.3 状态反馈系统的能控性和能观性 6.4 状态反馈极点配置 6.5 状态反馈在系统综合中的其他应用 6.6 线性反馈离散系统的状态反馈 6.7 状态观测器 6.8 带状态观测器的状态反馈控制系统 6.9 线性系统的能检性及其观测器设计 6.10 输出反馈控制及最优逼近法在系统综合中的应用 6.11 线性二次型最优控制问题

第一节 整流电路(rectification circuit) 第二节 滤波电路 电容滤波 电感滤波 复式滤波 第三节 稳压电路 第四节 开关稳压电路 一、开关型稳压电路的特点 二、电路组成及工作原理 第五节 可控硅整流电路 一、可控硅的结构与导通条件 二、单结晶体管及触发电路 三、单相桥式可控整流电路

8.1 状态空间描述 8.2 线性定常连续系统状态方程的解 8.3 线性定常系统的能控性和能观性 8.4 状态反馈和极点的任意配置 8.5 状态观测器的设计 8.6 李雅普诺夫稳定性分析