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一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好,工艺较简单,适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点,得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路
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一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好,工艺较简单,适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点,得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路
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数列与数列极限 数列是指按正整数编了号的一串数: x1,x2,…,xn,, 通常表示成{xn},其中x称为该数列的通项
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数列与数列极限 数列是指按正整数编了号的一串数: xx x 1 2 n ,,,, \ \, 通常表示成{ xn },其中 xn称为该数列的通项
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VC97数字万用表是一种性能稳定、可靠性 高的位万用表,仪表采用23mm字高LED显示器, 读数清晰。可用来测量直流电压、交流电压、直 流电流、交流电流、电阻、电容、频率、占空比、 三极管、二极管及通断测试;同时还设有单位符 号显示、数据保持、相对值测量、自动/手动量程 转换、自动断电及报警功能。其使用方法如下
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第三章组合逻辑电路的分析与设计 3、1逻辑代数 一、逻辑代数的基本公式
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一、开放式综合数控实验系统系统结构 二、开放式“软数控”实验装置
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一、字符串数组 二、元胞数组 三、构架数组
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一、数据的种类 1.计量值数据 (长度、重量、电流、温度等。测量结果的数据可以是连续的,也可以是不连续的)
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用研制的Mg2SiO4(s)+MgO(s)硅传感器,对高碳冶金熔液中的硅进行了测量,发现辅助电极的物相结构和熔体中的氧含量对测量结果有明显的影响.首先提出了辅助电极型传感器的物理模型,导出了辅助电极的局域平衡氧势与熔体氧势和硅传感器测量结果的关系式,给出了覆盖常数和结构常数的物理意义.用实验数据拟合得到了该传感器的结构常数为6.66;用该模型对小于1的不同覆盖常数的硅传感器测得同一熔体的氧势进行了校正,得到了一致的局域平衡氧势值,证明了模型与实际吻合得相当好
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