第一节 碰撞理论（Simple Collision theory）(SCT) 第二节 过渡状态理论（活化络合物理论或绝对反应速率理论） 第三节 单分子反应理论 第四节 分子反应动态学简介 第五节 在溶液中进行的反应 第六节 快速反应的研究 第七节 光化学反应 第八节 催化反应动力学

这一章的复习提要稍晚了两天,都是战争惹的麻烦。大家看到了,一个国家如果没有实力,就有可能挨打。“联合国”,“安理 会”并不能保证你的安全。哪里打仗,那里的人民就遭殃。大家还是好好学习吧,特别是计算方法,它直接关系到我们未来的导弹能否打得更准。说是复习提纲,实际是这一章的讲义,虽然与教材有较大的出入,但比教材容易理解。如果一时难以完全消化,那就要重点进攻了:拉格朗日插值和牛顿插值方法应该很熟,程序应该会编;接下来应该掌握插值多项式的唯一性,插商的定义域性质

5.1查询的基本知识 5.2创建查询 5.3用设计视图创建和修改查询 5.4高级查询 5.5查询应用实例 5.6习题

测定了五孔喷头射流速度的衰减速率。测定结果表明,由于中孔射流和边孔射流的边界条件不同,因而它们的速度衰减速率不同。当中孔和边孔的直径相等时,在正常的枪位下,射流速度中孔比边孔大一倍。为了充分地利用五孔喷头的射流对熔池的有效和均匀的搅拌作用,要求作用于熔池面时,中孔射流的速度应等于或略大于边孔射流的速度,为此设计五孔喷头时应使中孔面积（A中）小于每个边孔面积（A边）。测定结果得出A中/A边应为0.6～0.8

在700℃、3kg/cm2的恒压下进行下列反应 C4H10(A)→2C2H4(B)+H2(C) 反应开始时,系统中的含量为116kg, 当反应完成50%时,丁烷的分压以2.4kg/ cm2·s的速率发生变化,试求下列各项的 变化速率:(a)乙烯的分压;(b)的摩尔数; (c)丁烷的摩尔分率

第一章绪论 第二章MCS51单片机的结构和原理 第三章MCS51指令系统 第四章汇编语言程序设计 第五章MCS-51单片机内部定时/计数器及其应用 第六章单片机系统扩展 第七章MCS51系统的串行接口 第八章MCS-51单片机的中断系统 第九章单片机应用系统的组成

1、掌握活性污泥法的基本原理及其反应机理 2、理解活性污泥法的重要概念与指标参数：如活性污泥、剩余污泥、MLSS、MLVSS、SV、SVI、Qc、容积负荷、污泥产率等。 3、理解活性污泥反应动力学基础及其应用。 4、掌握活性污泥的工艺技术或运行方式； 5、掌握曝气理论。 6、熟练掌握活性污泥系统的计算与设计；

针对溶液雾化氧化法制备四氧化三钴粉末过程,研究了工程实验条件下反应温度、雾化压力和氯化钴溶液流量等参数对钴氧化率、粉末粒度和粉末松装密度的影响.在反应温度750℃、氯化钴溶液质量浓度120 g·L-1、压缩空气压力0.23 MPa、氯化钴溶液压力0.15 MPa以及氯化钴溶液流量40 L·h-1条件下,制备的氧化钴再经750℃热处理2 h后,钴氧化率达到100%,钴质量分数为73.04%,松装密度为0.48 g·cm-3,平均粒径为7.61μm.工程实验研究结果表明溶液雾化氧化法可以高效快速制备高品质四氧化三钴粉末,过程简单、清洁,具有产业化应用前景

本章引进了应力张量、导出了平衡方程,并且讨论了作为平衡方程通解的应力函数

真实的弹性体都是空间物体,但当其形状和受力情况具有某些特点时,在数学上可按 平面问题处理。本章先介绍平面应变问题、平面应力问题和广义平面应力问题,然后 在直角坐标系中来解平面问题