针对亚微米尺度晶体元器件在加工和服役中出现的反常力学行为和动态变形等问题，基于离散位错动力学理论建立了单晶铜塑性变形过程的二维离散位错动力学模型。该模型考虑外加载荷、位错间相互力和自由表面镜像力对位错的作用机制，引入了截断位错速度准则。与微压缩实验对比验证了模型的正确性，并且能够描述力加载描述的位错雪崩现象。应用该模型分析了不同加载方式和应变率下位错演化及力学行为，结果表明：当外部约束为力加载和位移加载时，应力应变曲线分别呈现出台阶状的应变突增和锯齿状的应力陡降，位错雪崩效应的内在机制则分别归结为位错速度的随机性和位错源开动的间歇性；应变率在102～4×104 s?1范围内，单晶铜屈服应力的应变率敏感性发生改变，位错演化特征由单滑移转变为多滑移面激活的均匀变形，位错增殖逐渐代替位错源激活作为流动应力的主导机制

1绪论 (1)化工热力学发展简介 (2)化工热力学内容和应用 (3)化工热力学的研究方法

动力学是什么? 动力学研究物体的机械运动与作用力之间的关系。 如果说,力的作用是改变物体机械运动的原因, 机械运动变化是力对物体作用的结果, 那么,动力学就是从因果关系上论述物体的机械运动

本书主要内容涵盖了桁架、刚架、拱和连续梁等结构形式的静力学和动力学。阐述了各种结构在静定和超静定状态下的内力、变形、影响线的分析方法和能量原理；介绍了结构动力学的基础知识和结构理论的最新发展。本书通篇贯穿了理论联系实际、注重工程应用的学术思想；在保持内容完整性和知识系统性的前提下，特别关注工程实际问题的处理。对于工程中经常遇到的结构形式和载荷状况如何建模、如何选取适当的分析方法以及对计算结果的检验和判断等问题，都进行了详细的讨论。本书的知识体系与结构力学教材基本一致

SiC作为一种综合性能优异宽禁带半导体，在金属氧化物半导体场效应晶体管中具有广泛的应用。然而SiC热氧化生成SiO2的过程具有各向异性，导致不同晶面上的氧化速率差异较大，这会对半导体器件的性能产生不利影响，因而研究SiC各个晶面上SiO2的生长规律尤其重要。建立有效合理的动力学模型是认识上述规律的有效手段。本文从反应机理和拟合准确度两方面对目前具有代表性的改进的Deal-Grove模型（Song模型和Massoud经验关系式）以及硅碳排放模型（Si?C emission model）进行系统研究和比较。在此基础上，分析已有模型的优缺点，提出本课题组建立的真实物理动力学模型应用的可能性，为SiC不同晶面氧化动力学的准确描述提供进一步优化和修正思路

• １．了解材料的主要力学性能指标：屈服强度、抗拉强度、伸长率、断面收缩率、硬度、冲击韧性、疲劳强度、断裂韧性等力学性能及其测试原理； • ２．强调各种力学性能指标的生产实际意义； • ３．了解工程材料的物理性能、化学性能及工艺性能。 第一节 强度和塑性 第二节 硬度

§ 7-1基本术语与基本假设 § 7-2最概然分布与Boltzmann分布 § 7-3热力学量的统计热力学关系式 § 7-4粒子配分函数的计算 § 7-5理想气体的热力学性质

●发酵过程的反应描述及速度概念 ●发酵过程动力学研究的基本内容 ●菌体生长、产物形成、基质消耗动力学的基本概念 ●反应动力学的应用连续培养的操作特性

经典力学在伽利略变换下形式不变(具有伽利略 协变性),一般仅适用于v<