1.掌握检查运算放大器好坏的方法。 2.掌握运算放大器组成比例、求和运算电路的结构特点。 3.掌握运算电路的输入与输出电压特性及输入电阻的测试方法

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

本书是为配合清华大学电子学教研组编童诗白和华成英主编的《模拟电子技术基础》(第三版)教材而编写的教师手册。手册包括文字和光盘两部分。文字部分主要有:各章内容主线、重点和难点讲课要点和知识的扩展等,此外还给出了各章自测题和习题的参考答案,以方便使用者速查;光盘中的内容有:教材各章正文的电路图、各章自测题和习题详解或必要说明,可供教师制作多媒体或答疑之需

§1 概述 §2 乘法器在模拟运算中的应用 §3 乘法器在通信系统中的应用 §4 其他应用

6.1 概述 6.2 直流信号的放大 6.3 差分放大器 6.4 集成运算放大器典型电路介绍 6.5 集成运算放大器的性能参数和模型 6.7 集成运算放大器的应用 6.8 实际集成运放电路的误差分析 6.6 理想运放及其基本组态 6.9 在系统可编程模拟器件ispPAC 6.10 单电源供电运放电路 6.11 电流模式运算放大器 6.12 集成跨导放大器 6.13 模拟乘法器

61模拟集成电路中的直流偏置技术 6.1.1电路如图题6.1.1所示,用镜像电流源(T1、T2)对射极跟随器进行 偏置。设β>1,求电流l的值。若rn(rn)=100k9。试比较该电路与分立元件 电路的优点。设Vc=-vE=10V,v=0.6V

8.1 功率放大电路的一般问题 8.2 射极输出器——甲类放大的实例 8.3 乙类双电源互补对称功率放大电路 8.4 甲乙类互补对称功率放大电路 8.5 集成功率放大器

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管（JFET） 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较

5.1 反馈的基本概念 5.2 负反馈对放大电路性能的影响 5.3 负反馈放大电路的分析计算 5.4 负反馈放大电路的自激振荡

第六讲放大电路的分析方法 一、放大电路的直流通路和交流通路 二、图解法 三、等效电路法