采用单相格子Boltzmann方法研究大平板的反重力充型过程，该模型不需考虑气相格子的变化，从而提高了计算效率.针对该方法，本文新提出了一种权重系数重新分配的方法来处理格点中的液相排出及分配问题.首先用该模型计算了单浇口条件下的大平板型腔反重力充填过程，以相同参数下的高速相机成像的水力充填实验为参照，数值模拟的流场特征及流体形态与实验结果吻合良好.另外，还采用线速度分布云图，并提出了自由表面的高度差判据来分析充型过程中的流场区域特征和流体平稳程度.在此基础上，继续用该模型研究了双浇口和圆柱扰流条件下的大平板反重力充型过程.双浇口条件下由于浇道间的互相影响，流场中形成的漩涡多于单浇口；圆柱扰流条件下的充填方式会降低流体的晃动程度，提高充型的稳定性

第一章 均相单一反应动力学和理想反应器 第二章 复合反应与反应器选型 第三章 非理想流动反应器 第四章 气固相催化反应本征动力学 第五章 气固相催化反应宏观动力学 第六章 气固相催化固定床反应器 第七章 气固相催化反应流化床反应器 第八章 气液相反应过程与反应器 第九章 反应器的热稳定性与参数灵敏性

研制了一种无机材料构成的验电标识,放置在导线周围,通过电场驱动电子的运动,促进载流子复合,进而使材料发光,从而判断带电情况,其作为验电标识使用非常便捷.选取了氮化镓GaN材料进行研究,以GaN、InGaN等材料为基础,通过溶胶凝胶法、气相外延等方法制备接触层、基片层、材料层等结构,进而获得了验电标识,该验电标识的发光层是具有多量子肼结构的纳米棒阵列.然后对其进行了电学光学性能参数测试,获得了有关特性曲线,通过Ansoft-maxwell有限元软件进行仿真,分析材料在特高压输电线路周围的电场分布,通过试验分析验电标识发光所需求的电磁环境.最后模拟导线现场进行测试.研究表明,该低场致发光特性的验电标识具有发光功耗低,发光明显等优点,其处于所在区域的电场强度达到1.2×106V·m-1以上时,可激发发光,此时所注入电流约为1.1 mA.通过仿真和试验分析可知带电特高压输电线路周围的空间电场强度满足验电标识发光指示的要求,同时空间杂散电流和材料本身的电容效应提供注入电流.该验电标识通过材料本身发光特性来指示带电状态,安装在距离特高压导线轴线13 cm及以内的范围即可实现验电,通过封装具有较好的耐候性能,同时避免了复杂的电路装置验电存在易受电磁干扰,可靠性差等问题

应用微波等离子体辅助的化学气相沉积(MPCVD)工艺成功地实现了金刚石薄膜在700-790℃范围内的低温沉积.发现氧在CH4-H2系统中的引入不仅可以减小或消除Raman谱上位于1550cm-1的非金刚石特征峰,而且还使位于1332cm-1的金刚石特征峰半高宽显著减小。正是由于原子态氧在较低温度下具有远比原子态氢强烈得多的对石墨和类金刚石碳的刻蚀作用,才用金刚石的低温生长得以顺利进行。本文详细报导了金刚石薄膜低温沉积工艺及其所得薄膜的表征结果,并就Bachmann等最近提出C-H-O金刚石相图针对低温沉积数据进行了讨论

采用臭氧氧化法对模拟浮选废水中BK809进行降解处理,并对不同阶段的降解产物进行气相色谱-质谱(GC-MS)分析.结果表明,废水的最佳处理pH值为9~11,当臭氧投加速度为300mg·h-1、臭氧处理时间为20min时,废水中COD去除率为68.68%.GC-MS分析显示:BK809的总降解过程为苯胺首先被氧化成偶氮苯,然后转化为硝基苯,随着氧化的加深,苯环被打开,进一步氧化分解为C15~C25的链状烷烃和气态物质,包括氮的氧化物和碳的氧化物;最终废水中总有机物的质量残留率由原来的100%下降至17.18%.在此过程中,废水的色度则由5.02度逐渐上升至471.71度,然后又逐步下降至28.75度,从宏观上表现为由无色变为棕黄色,又从棕黄色逐渐还原为乳白色

4.1 聚合物分子量的统计意义 4.1.1 聚合物分子量的多分散性 4.1.2 统计平均分子量 4.1.3 分子量分布宽度 4.1.4 聚合物的分子量分布函数： 4.2 聚合物分子量的测定方法 4.2.1 端基分析 4.2.2 沸点升高和冰点降低 4.2.3 气相渗透法（VPO）（热效应法） 4.2.4 膜渗透压法 4.2.5 光散射法 4.2.5.1 小粒子溶液 4.2.5.2 大粒子溶液 4.2.6 粘度法 4.2.6.1 粘度的表征 4.2.6.2 粘度的浓度依赖性 4.2.6.3 特性粘度与分子量的关系 4.3 聚合物分子量分布的测定方法 4.3.1 沉淀与溶解分级 4.3.2 凝胶渗透色谱（GPC） 4.3.2.1 分离机理 4.3.2.2 填料及仪器装置 4.3.2.3 柱效、分辨率和宽展效应 4.3.2.4 色谱图的标定及数据处理

第一章 绪论 第二章 光分析法导论 第三章 原子发射光谱法 第四章 原子吸收光谱法 第五章 紫外—可见吸收光谱法 第六章 红外吸收光谱法 第七章 分子发光分析法 第八章 核磁共振波谱法 第九章 其他光谱法 第十章 质谱分析法 第十一章 电化学分析法导论 第十二章 点位分析及离子选择性电极分析法 第十三章 极谱与伏安分析法 第十四章 其他电化学分析法 第十五章 分离分析法导论 第十六章 气相色谱法 第十七章 高效液相色谱法 第十八章 其他分离分析法

在50℃的地热水中进行了一个月的现场试验。利用失重试验对若干种金属材料在不同暴露条件下的腐蚀速度进行了测定;利用掛片对某些表面保护层的保护性能进行了观察比较;并用线性极化方法测定了间浸条件下金属腐蚀速度随时间的变化关系。试验结果表明:碳钢和低合金钢在低温地热系统中具有相似的耐蚀性,全浸条件下均匀腐蚀速度为0.05毫米/年左右,半浸为0.2毫米/年左右,气相为0.3毫米/年左右,在最恶劣的间浸条件下也不超过0.5毫米/年。如果能设法防止氧进入系统,其腐蚀速度可以大大降低。2Cr13不锈钢有良好的耐均匀腐蚀能力,但半浸条件下在水线附近出现了孔蚀。铝由于严重的孔蚀,不宜在这样的体系中采用。铜及铜合金在氧和硫化氢的联合作用下腐蚀被大大加速了。在保证较严格的施工条件下,RTF涂料在这种体系中能成功地保护金属基体。环氧煤沥青相对经济易得、施工简便,可对基体进行较好的保护,是用于这种体系中有希望的涂层

采用化学气相沉积法以泡沫镍为模板制备三维多孔网状泡沫石墨烯（GF）,利用水热法在其表面垂直生长氧化锌纳米线阵列（ZnO NWAs）,得到三维形貌的ZnO NWAs/GF复合材料.采用扫描电镜、透射电镜、X射线衍射、拉曼光谱等测试方法对该复合材料进行了表征.结果表明：制备的石墨烯层数较少且纯净无缺陷.ZnO NWAs垂直于三维GF表面且尺寸分布均匀.利用电化学方法用ZnO NWAs/GF检测左旋多巴（LD）.电化学测试结果表明,ZnO NWAs/GF在线性范围为0~80μmol·L-1内检测LD时,检测灵敏度为0.41μA·（μmol·L-1）-1,且具有良好的重复性和稳定性.在尿酸（UA）干扰下,ZnO NWAs/GF对检测LD有很好的选择性

本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习，将能够： 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质