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文库(402)
带有状态时滞的多采样率线性离散时间系统的最优预见控制器设计
文档格式:PDF 文档大小:2.28MB 文档页数:9
研究了一类具有状态时滞的多采样率离散时间控制系统,对这类系统给出了一种最优预见控制器的设计方法.首先利用离散时间系统提升技术,把所研究的系统转化成单一采样的扩大系统;然后利用构造扩大误差系统的方法引入积分器;再对扩大误差系统应用通常的线性二次型最优预见伺服系统设计方法设计控制器,从而得到原系统的最优预见控制器.同时还对扩大误差系统的能控性和能观测性进行了讨论,并通过数值仿真说明了控制器的有效性
矿物颜料改性悬浮共聚合制备色粉新工艺
文档格式:PDF 文档大小:676.76KB 文档页数:4
介绍了色粉制备的现状及发展,分析了传统\混融法\的缺点。研究了以改性矿物颜料为基质的原位共聚合制备色粉的新工艺。讨论了色粉的质量控制及新方法的实用性
氧对Sm(Co,Fe,Cu,Zr)z永磁体性能和显微组织的影响
文档格式:PDF 文档大小:531.49KB 文档页数:4
研究了氧对Sm(Co,Fe,Cu,Zr)z永磁体性能的影响,并借助SEM、EDS和TEM等方法分析了永磁体的显微组织变化.讨论了影响磁体性能的原因.结果表明:在氧含量不高时(质量分数<0.32%)对磁性能的影响不明显,永磁体具有良好的磁性能;在0.32%~0.4%时,随氧含量的增加磁性能开始下降;氧含量大于0.4%后,磁性能急剧恶化;当大于0.7%后,磁性能基本消失.随着氧含量的增加,磁体的晶粒尺寸减小,以Sm2O3为主的白色析出物增多.非磁性相的增多和有效Sm含量的减少是影响磁性能的主要原因
气/液比和挤压比对过共晶铝-硅合金初晶硅相的影响
文档格式:PDF 文档大小:592.47KB 文档页数:4
研究了雾化沉积制备过共晶Al-Si-X合金过程中,气/液比对沉积坯中初晶硅相尺寸的影响,观察了随热挤压前预热温度的升高,沉积坯中初晶硅相的长大情况.并通过相同温度不同挤压比下挤压组织的比较,讨论了热挤压时挤压比对过共晶Al-Si合金中初晶硅相细化过程的影响,提出细化材料组织的最佳工艺参数
用六价铬还原产物电镀铬
文档格式:PDF 文档大小:955.65KB 文档页数:5
研究了不同还原剂与六价铬的还原反应和各种反应条件对还原率的影响。讨论了反应历程,确定了最佳反应条件。这种还原产物可以做为无毒性电镀铬的铬源。使用这种三价铬化合物进行了电镀试验,获得了厚度超过100μm的镀层
稀释体系气溶胶粒子近壁动力特性及壁面影响
文档格式:PDF 文档大小:631.31KB 文档页数:5
以极端稀释气溶胶体系中单个粒子为研究对象,建立了考虑受重力浮升力、表面势力和布朗热动力作用的运动控制方程,运用布朗动力学方法数值模拟了近壁处气溶胶粒子的动力特性规律.结果表明,壁面之上一定范围内(约50个气溶胶粒子半径)存在一个壁面影响区,区域中气溶胶粒子的动力特性有别于无界大空间中的气溶胶粒子,且其厚度远大于壁面对粒子作用力的范围(约1个粒子半径).最后讨论了不同表面特性、不同粒子半径时壁面影响区的变化规律
一种适用于HFC网络CM的QoS解决方案
文档格式:PDF 文档大小:655.56KB 文档页数:5
通过对不同网络QoS机制进行分析比较和对DOCSIS1.1规范QoS标准的深入研究,提出了一种适用HFC网络接入网设备CM的QoS机制解决方案.给出了CM QoS体系的设计模型,对各模块进行了详细的功能介绍,从设计上保证了为不同的IP数据提供不同的服务质量.详细阐述了动态业务的发起过程和实现技术,讨论了HFC网络QoS的下一步研究方向
石油沥青涂层管线土壤环境腐蚀性因素的模糊聚类
文档格式:PDF 文档大小:480.58KB 文档页数:4
通过相关性数据处理和模糊聚类分析,对影响土壤环境腐蚀性的各种因素之间的相互关系进行了讨论.相关系数矩阵和聚类谱系图两者都表明,有些因素之间的相关性很大,有些相对独立.研究发现影响土壤环境腐蚀性的23项因素在相关系数大于0.8的情况下,可明显地聚为6类.这对石油沥青涂层管线土壤腐蚀性的深入研究,有一定的参考价值
CSP工艺生产低碳钢中的纳米碳化物及其对钢的强化作用
文档格式:PDF 文档大小:576.26KB 文档页数:4
用化学相分析及x射线小角散射法研究了CSP工艺生产HSLC钢中碳化物的成分、数量及粒度分布,发现尺寸小于18 nm的碳化物含量大于文献中测定的CSP含Nb的HSLA钢中尺寸小于18nm的Nb (CxNy)含量.对纳米级碳化物对钢的强化作用进行了讨论
锌还原法制备多晶硅过程影响硅产率的因素分析
文档格式:PDF 文档大小:458.62KB 文档页数:7
对锌还原法过程中影响硅产率的因素进行研究.分析了当反应达到平衡,在0.1、0.3和0.6 MPa以及进料配比xZn/xSiCl4为2、4和8时,气相平衡组分分布与温度的关系.讨论了硅产率随温度、压强及xZn/xSiCl4的变化情况.结果表明,低温、一定压力和高xZn/xSiCl4对锌还原过程有利.确定了影响硅产率的主要副反应.最后得到锌还原法的最佳操作条件为温度控制在1 200 K左右、0.2 MPa及进料配比xZn/xSiCl4=4,在此条件下硅的理论产率可为90.3%
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