一、熵 1 熵概念的引入 如何判断孤立系统中过程进行的方向?

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

1 有两根相距为 d 的 无限长平行直导线，它们通以大小相等流向相反的电流， 且电流均以 的变化率 增长. 若有一边长为 d 的正 方形线圈与两导线处于同一 平面内,如图所示，求线圈 中的感应电动势

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