本书由三大部分构成。第1、2章是纳米技术的基本情况；第3~7章主要是纳米电、磁、光功能材料及其在电子元器件中的应用；8~10章则主要是纳米电子学的基本知识。三个部分有一定的独立性联结起来又成一体。可供电子科学技术、材料、物理、化工、冶金等学科和相关技术人员使用

采用伪半固态触变成形工艺制备了40%、56%和63%三种不同SiC体积分数颗粒增强Al基电子封装材料，并借助光学显微镜和扫描电镜分析了材料中Al和SiC的形态分布及其断口形貌，测定了材料的密度、致密度、热导率、热膨胀系数、抗压强度和抗弯强度.结果表明，通过伪半固态触变成形工艺可制备出的不同SiC体积分数Al基电子封装材料，其致密度高，热膨胀系数可控，材料中Al基体相互连接构成网状，SiC颗粒均匀镶嵌分布于Al基体中.随着SiC颗粒体积分数的增加，电子封装材料密度和室温下的热导率稍有增加，热膨胀系数逐渐减小，室温下的抗压强度和抗弯强度逐渐增加.SiC/Al电子封装材料的断裂方式为SiC的脆性断裂，同时伴随着Al基体的韧性断裂

11.1光波谱系 11.2光与材料的相互作用 11.2.1作用机理 11.3 光学性质的应用

研制了一种无机材料构成的验电标识,放置在导线周围,通过电场驱动电子的运动,促进载流子复合,进而使材料发光,从而判断带电情况,其作为验电标识使用非常便捷.选取了氮化镓GaN材料进行研究,以GaN、InGaN等材料为基础,通过溶胶凝胶法、气相外延等方法制备接触层、基片层、材料层等结构,进而获得了验电标识,该验电标识的发光层是具有多量子肼结构的纳米棒阵列.然后对其进行了电学光学性能参数测试,获得了有关特性曲线,通过Ansoft-maxwell有限元软件进行仿真,分析材料在特高压输电线路周围的电场分布,通过试验分析验电标识发光所需求的电磁环境.最后模拟导线现场进行测试.研究表明,该低场致发光特性的验电标识具有发光功耗低,发光明显等优点,其处于所在区域的电场强度达到1.2×106V·m-1以上时,可激发发光,此时所注入电流约为1.1 mA.通过仿真和试验分析可知带电特高压输电线路周围的空间电场强度满足验电标识发光指示的要求,同时空间杂散电流和材料本身的电容效应提供注入电流.该验电标识通过材料本身发光特性来指示带电状态,安装在距离特高压导线轴线13 cm及以内的范围即可实现验电,通过封装具有较好的耐候性能,同时避免了复杂的电路装置验电存在易受电磁干扰,可靠性差等问题

◼ 4.1 荧光光谱概述 ◼ 4.2 分子荧光光谱的基本原理 ◼ 4.3 荧光激发光谱和荧光发射光谱 ◼ 4.4 荧光光谱的特征 ◼ 4.5 影响荧光光谱的因素 ◼ 4.6 荧光光谱仪 ◼ 4.7 样品的制备 ◼ 4.8 荧光光谱法的测试方法和技巧 ◼ 4.9 分子荧光光谱的应用

《材料研究方法》课程教学课件（讲稿）第五章-透射电子显微技术（电子光泶基础、透射电子显微镜的光学系统）

介质材料可以看作许多线性谐振子的集合,在光波场的作用下,极化的原子或分子辐射的次波与 入射光波的相互干涉决定了光在介质中的传播规律

5.1、光纤色散概述 5.1.1 模间色散（多模光纤） 5.1.2 材料色散 5.1.3 波导色散 5.1.3 偏振模色散 5.2、光纤色散测量 5.2.1 时域法 5.2.2 频域法 5.2.3 时域法和频域法的比较 5.2.4 CD400色散测量仪

一、双折射的概念 由于折射率与原子紧密堆积有关,所以对于各向 异性材料,在不同的方向上表现出不同的折射率 值,因此,当光束通过各向异性介质的表面时, 由于在各方向上的折射程度不同,折射光会分成 两束沿着不同的方向传播。这种现象称为双折射

5.1 分子荧光 (molecular fluorescence, MF) 5.2 纳米结构近场区域偶极子弛豫系数 5.3 SPP增强分子荧光的前沿进展 5.4 SPP 的量子性