第一节 概述 第二节 电阻式传感器 第三节 电感式传感器 第四节 电容式传感器 第五节 磁电式传感器 第六节 压电式传感器 第七节 光电式传感器 第八节 热电式传感器 第九节 半导体式传感器 第十节 生物与仿生传感器 第十一节 传感器的选用原则

第一节 异质结及其能带图 第二节 异质结在半导体光电器件中的作用 第三节 异质结制备工艺与晶格匹配 第四节 超晶格与量子阱

1. 半导体的导电特性 2. PN结及其单向导电性 3. 二极管 4. 稳压二极管 5. 双极型晶体管 6. 光电器件

3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.3 半导体二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的I-V特性 3.3.3 二极管的参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电器件

3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.3 二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的I-V特性 3.3.3 二极管的参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电器件

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半导体激光吸收光谱技术(DLAS，Diode Laser Absorption Spectroscopy)最早于20世纪70年代提出。随着半导体激光技术在20世纪80年代的迅速发展，DLAS技术开始应用于大气研究、环境监测、医疗诊断和航空航天等领域。 一、半导体激光器和光电探测器 二、激光气体分析仪的工作原理 三、技术优势与发展方向 四、典型产品及其应用 五、调校、维护和检修

14.1 半导体的导电性 14.2 PN结及其单向导电性 14.3 二极管 14.4 稳压二极管 14.5 晶体管 14.6 光电器件

1.3.1 晶体二极管的伏安特性 1.3.2 二极管的直流电阻和交流电阻 1.3.3 二极管模型 1.3.4 二极管应用电路 1.3.5 稳压管及其应用 1.3.6 PN结电容效应及应用 1.3.7 特殊二极管 太阳能电池 光电二极管 发光二极管 肖特基二极管

ZnO作为一种典型的直接带隙宽禁带半导体材料极具开发潜力和应用价值.随着图案化技术的不断发展优化,ZnO纳米棒阵列的精确可控制备逐步得到实现.本文综述了利用激光限域技术制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法,并详述了其在太阳能电池和光电化学电池中的应用.激光干涉法制备的ZnO纳米阵列比表面积大且具有直线传输的优势,运用于光伏器件和电化学电池中增加了光吸收同时利于载流子传输,器件性能显著提高.图案化ZnO纳米棒阵列具有可控的三维空间结构,广泛应用关于各类能源器件中,具有极大的研究和应用价值