第一章半导体产业介绍 一、概述 微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

纳米电子学以 一、微电子技术今后发展将受到的限制 二、量子电子器件 纳米电子器件的发展 三、单电子晶体管,单电子存储器,逻辑电路 四、分子电子学和分子电器件 五、原子电器件 六、纳米电器件的集成和量子计算机 七、微电子技术过去30年的发展

本文将三维附面层方程抛物型化,对不同尺寸的等温小加热块自然对流换热进行了数值模拟,并用来研究微电子集成电路芯片的冷却问题

上一章介绍了组合逻辑电路的分析与设计方法。随着微电子技术的发展,现在许多常 用的组合逻辑电路都有现成的集成模块,不需要我们用门电路设计。本章将介绍编码器 译码器、数据选择器、数值比较器、加法器等常用组合逻辑集成器件,重点分析这些器件 的逻辑功能、实现原理及应用方法

第一章 引言 第二章 片上电感的物理模型与特性分析 第三章 片上电感的优化设计 第四章 测试与分析 第五章 结论

一、薄膜制备工艺 二、光刻工艺 三、刻蚀工艺（Etch Process） 四、掺杂工艺 五、氧化工艺 六、其它工艺 • CMP(chemical mechanical planarization) • SOI (silicon on insulator) • 铜互连 • 硅片键合与背面腐蚀技术 • 注氧隔离技术(SIMOX) • 智能剥离技术

 Turing及Turing Award  历届图灵奖得主概览  人类对智力延伸的追求  对图灵奖的另类解读  CS与EE的未来研究热点

一、 使用HDL设计的先进性 二、Verilog的主要用途 三、 Verilog的历史 四、如何从抽象级(levels of abstraction)理解 五、电路设计 六、Verilog描述 – 逻辑仿真算法 – 如何启动Verilog-XL和NC Verilog仿真器 – 如何显示波形 1. 进一步学习Verilog的结构描述和行为描述 2. Verilog混合（抽象）级仿真 1. 理解Verilog中使用的词汇约定 2. 认识语言专用标记(tokens) 3. 学习timescale

一、半导体存储器概念： 随着微电子技术的提高,大规模集成电路(LSI)发展很快,近年来集成电路几乎以每年提高一倍的速度向前发展。存储器是电子计算机及数字系统中不可缺少的部分，用来存放二进制代码表示的数据､系统指令､资料及运算程序等。 二、存储器的主要指标 存储容量 和 工作速度