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《硅微机械传感器》 《科研方法论》 《嵌入式系统设计》 《有限元方法及应用》 《专业英语》 《FPGA 设计及应用》 《半导体器件物理》 《电子技术基础及应用》 《固体物理学》 《集成电路 EDA》 《集成电路设计及应用》 《检测技术与系统设计》 《纳米材料与器件》 《声学基础》 《微电子工艺原理与仿真》 《文献阅读与学术写作》 《现代数字信号处理》 《移动互联网应用及开发》 《薄膜材料及技术》 《VLSI 数字集成电路基础》 《半导体光电子学》 《材料表征与检测》 《电子功能材料与元器件》 《集成电路版图设计》 《拉曼光谱学》 《微波器件与电路》 《半导体器件建模与仿真实训》 《传感器设计实训》 《高等模拟集成电路分析与设计》 《工程项目及创新实践》 《集成电路工程设计实训》 《数模混合信号集成电路设计实训》 《微电子器件》 《压电学》 《智能传感器系统设计》 《MEMS 传感器》 《传感器技术及应用》 《水声换能器及阵列技术》 《代数学》 《多元统计分析》 《泛函分析》 《非参数统计》 《高等概率论》 《高等数理统计学》 《孤子与可积系统》 《矩阵理论及其应用》 《科学计算》 《偏微分方程》 《人工智能理论》 《数值逼近》 《数值代数》 《算法分析与程序设计》 《微分方程数值解》 《微分几何》 《现代密码学》 《现代统计计算方法》 《最优化理论与方法》 《高等工程数学 A》 《高等工程数学 B》

本章讨论的问题:1为什么采用半导体材料制作电子器件?2空穴是种裁流子吗?空穴 导电时电子运动吗?3什么是N型半导体?什么是P型半导体?当二种半导体制作在一起时会 产生什么现象?4PN结上所加端电压与电流符合欧姆定律吗?它为什么具有单向性?在PN结 中另反向电压时真的没有电流吗?

《电工与电子技术》课程教学大纲. 1 《专业英语》课程教学大纲.5 《材料力学》课程教学大纲.11 《工程伦理学》课程教学大纲. 17 《普通化学》课程教学大纲. 28 《有机化学》课程教学大纲. 35 《物理化学》课程教学大纲. 44 《材料物理》课程教学大纲. 58 《高分子化学与物理》课程教学大纲. 73 《新能源技术概论》课程教学大纲. 82 《材料科学基础》课程教学大纲. 92 《电化学基础》课程教学大纲. 97 《燃料电池材料与器件》课程教学大纲. 103 《材料研究与测试方法》课程教学大纲. 112 《锂离子电池原理》课程教学大纲. 120 《储能材料与器件》课程教学大纲. 127 《催化化学》课程教学大纲. 134 《氢能开发利用技术》课程教学大纲. 149 《燃料电池技术》课程教学大纲. 157 《功能陶瓷材料与器件》课程教学大纲. 162 《太阳能材料与器件》课程教学大纲. 171 《光电功能材料》课程教学大纲. 176 《薄膜技术与材料》课程教学大纲. 180 《生物质复合材料》课程教学大纲. 185 《碳基储能材料》课程教学大纲. 197 《物理化学选论》课程教学大纲. 203 《生物质能源转化与利用》课程教学大纲. 209 《碳达峰与碳中和》课程教学大纲. 217 《机械设计基础》课程教学大纲 225

第二讲顺序控制环节 一、机械系统(发生动力传递动力---传动)讨论:方式? 二、信息器件(传递信息--时空传感) 三、控制、执行器件(控制,施加能、力)(以上那些环节含有“换能”过程?) 四、一维顺序控制系统

上篇：第一章 微波传输线 第二章 微波网格基础 第三章 阻抗匹配 第四章 微波无源器件 第五章 空腔谐振器 第六章 微波滤波器 第七章 微波铁氧体器件 下篇：第一章 辐射的基本原理 第二章 天线的电参数及接收天线 第三章 对称摄子 第四章 阵列天线 第五章 面天线的基本理论 第六章 喇叭天线 第七章 反射面天线

《高等数学 A》 《C 语言程序设计》 《C 语言程序设计》实验 《线性代数》 《概率论与数理统计 B》 《模拟电子技术基础 B》 《数字电子技术基础》 《模拟电子技术基础实验》 《数字电子技术基础实验》 《工程制图 C》 《信号与系统》 《信号与系统》实验 《普通物理学 B1》 《普通物理学 B2》 《普通物理实验》 《结构与物性》 《矢量场论与张量》 《电动力学 1》 《复变函数与积分变换》 《应用光学》 《热力学与统计物理 1》 《物理光学》 《量子力学 1》 《科技论文写作》 《固体物理学》 《激光原理与技术》 《光通讯原理与器件》 《光电子技术实验》 《半导体物理与器件》 《光电子技术基础》 《光学传感原理与技术》 《电动力学 2》 《计算物理》 《单片机原理及应用》 《光电信息概论》 《热力学与统计物理 2》 《量子力学 2》 《新型光学材料》 《材料结构表征及应用》 《现代半导体材料及器件技术》 《光学信息处理》 《金工实习 A》 《专业调研》 《认识实习》 《学年论文》 《毕业实习》

综述了多晶卤化物钙钛矿薄膜的局限性, 卤化物钙钛矿量子点的基本光学性质和制备方法, 以及在光电探测器方面的器件结构研究进展, 并重点介绍了应用在0D-2D混合维度异质结基光电晶体管器件的突破, 包括界面载流子行为和高性能光探测器的构建.最后, 总结了卤化物钙钛矿量子点作为未来商业化应用的光电子器件和电子器件的候选材料所面临的主要问题和挑战, 譬如化学不稳定性、铅毒性问题、量子点与其他材料间界面高效电荷传输等问题, 并提出了解决思路和方法.这为设计和推进高性能、高稳定性卤化物钙钛矿量子点基光电功能化器件的商业化应用指明了方向

第二章半导体材料 一、半导体材料 １.目前用于制造半导体器件的材料有: 元素半导体(sie) 化合物半导体(GaAs InSb) ２.本征半导体:不含任何杂质的纯净半导体,其纯度在999%(8~10个9)。 ３.掺杂半导体:半导体材料对杂质的敏感性非常强,例如在Si中掺入千万分之一的磷(P)或者硼(B),就会使电阻率降低20万倍

1. 研究背景及研究内容 2. 器件结构及气敏测试系统 3. PANI及PANI/TiO2敏感薄膜的制备、表征及气敏特性研究 4. PANI/SnO2和PANI/SnO2-TTAB薄膜的气敏特性研究 5. 结论