上篇：第一章 微波传输线 第二章 微波网格基础 第三章 阻抗匹配 第四章 微波无源器件 第五章 空腔谐振器 第六章 微波滤波器 第七章 微波铁氧体器件 下篇：第一章 辐射的基本原理 第二章 天线的电参数及接收天线 第三章 对称摄子 第四章 阵列天线 第五章 面天线的基本理论 第六章 喇叭天线 第七章 反射面天线

《高等数学 A》 《C 语言程序设计》 《C 语言程序设计》实验 《线性代数》 《概率论与数理统计 B》 《模拟电子技术基础 B》 《数字电子技术基础》 《模拟电子技术基础实验》 《数字电子技术基础实验》 《工程制图 C》 《信号与系统》 《信号与系统》实验 《普通物理学 B1》 《普通物理学 B2》 《普通物理实验》 《结构与物性》 《矢量场论与张量》 《电动力学 1》 《复变函数与积分变换》 《应用光学》 《热力学与统计物理 1》 《物理光学》 《量子力学 1》 《科技论文写作》 《固体物理学》 《激光原理与技术》 《光通讯原理与器件》 《光电子技术实验》 《半导体物理与器件》 《光电子技术基础》 《光学传感原理与技术》 《电动力学 2》 《计算物理》 《单片机原理及应用》 《光电信息概论》 《热力学与统计物理 2》 《量子力学 2》 《新型光学材料》 《材料结构表征及应用》 《现代半导体材料及器件技术》 《光学信息处理》 《金工实习 A》 《专业调研》 《认识实习》 《学年论文》 《毕业实习》

综述了多晶卤化物钙钛矿薄膜的局限性, 卤化物钙钛矿量子点的基本光学性质和制备方法, 以及在光电探测器方面的器件结构研究进展, 并重点介绍了应用在0D-2D混合维度异质结基光电晶体管器件的突破, 包括界面载流子行为和高性能光探测器的构建.最后, 总结了卤化物钙钛矿量子点作为未来商业化应用的光电子器件和电子器件的候选材料所面临的主要问题和挑战, 譬如化学不稳定性、铅毒性问题、量子点与其他材料间界面高效电荷传输等问题, 并提出了解决思路和方法.这为设计和推进高性能、高稳定性卤化物钙钛矿量子点基光电功能化器件的商业化应用指明了方向

第二章半导体材料 一、半导体材料 １.目前用于制造半导体器件的材料有: 元素半导体(sie) 化合物半导体(GaAs InSb) ２.本征半导体:不含任何杂质的纯净半导体,其纯度在999%(8~10个9)。 ３.掺杂半导体:半导体材料对杂质的敏感性非常强,例如在Si中掺入千万分之一的磷(P)或者硼(B),就会使电阻率降低20万倍

1. 研究背景及研究内容 2. 器件结构及气敏测试系统 3. PANI及PANI/TiO2敏感薄膜的制备、表征及气敏特性研究 4. PANI/SnO2和PANI/SnO2-TTAB薄膜的气敏特性研究 5. 结论

半导体材料 目前用于制造半导体器件的材料有: 元素半导体(sie) 化合物半导体(GaAs InSb) ·本征半导体:不含任何杂质的纯净半导体, 其纯度在999%(8~10个9)。 ·掺杂半导体:半导体材料对杂质的敏感性非常 强,例如在Si中掺入千万分之一的磷(P)或者 硼(B),就会使电阻率降低20万倍

第一节引言 集成电路按其制造材料分为两大类:一类是硅材料集成电路,另一类是砷化镓。目前 用于ASIC设计的主体是硅材料。但是,在一些高速和超高速ASIC设计中采用了GaAs材 料。用GaAs材料制成的集成电路,可以大大提高电路速度,但是由于目前GaAs工艺成品 率较低等原因,所以未能大量采用

为什么采用半导体材料制作电子器件? 空穴是一种载流子吗?空穴导电时电子运动吗? 什么是N型半导体?什么是P型半导体?当两种半导体制作在一起时 会产生什么现象?

第一篇 电气工程基础篇 第二篇 电气工程安装与维护篇 第一章 电气工程基础理论 第二章 电工材料与电线电缆 第三章 仪器仪表及其检测 第四章 电子器件与电子电路 第五章 电机及其安装维护技术 第六章 变压器及其安装与维护技术 第七章 互感器安装与维修技术 第八章 低压电器安装与维护 第九章 高压电器安装与维修技术 第十章 机床电气设备安装与维护技术

集成电路按其制造材料分为两大类: 类是Si(硅),另一类是GaAs(砷化 镓)。目前用于ASIC设计的主体是硅材 料。但是,在一些高速和超高速ASIC设 计中采用了GaAs材料。用GaAs材料制成 的集成电路,可以大大提高电路速度,但 是由于目前GaAs工艺成品率较低等原因, 所以未能大量采用