对微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)的硅衬底金刚石薄膜,做了在液氮温区注入载流子,升温测其电流-温度关系的实验.观察到as-grown样品有明显的热激发电流峰.重复实验时,峰基本消失.经氢等离子体在~900℃处理2.5h后,再重复实验,该峰又出现.推断热激发电流峰是由硅衬底金刚石薄膜内氢致陷阱中的载流子撤空引起的.这些能级在金刚石禁带中的陷阱是可以通过适当热处理消除的

6.1 半导体的基本特征和分类 6.2 半导体带边的能带结构和有效质量 6.3 半导体载流子的浓度 6.4 接触效应 6.5 半导体载流子的输运问题

在MOS电容金属电极上，加以脉冲电压，排斥掉半 导体衬底内的多数载流子，形成“势阱”的运动， 进而达到信号电荷（少数载流子）的转移。 图像传感器：转移的信号电荷是由光像照射产生； 若所转移的电荷通过外界诸如方式得到，则其可以 具备延时、信号处理、数据存储以及逻辑运算等功 能

一、非平衡载流子及其产生 非平衡态：系统对平衡态的偏离

第2、3章小结 一、两种半导体放大器件 双极型半导体三极管(晶体三极管BJT)两种载流子导电 单极型半导体三极管(场效应管FET)多数载流子导电

1.半导体电导率 在一般电场情况下,半导体的导电服从欧姆定律:j=E--为电导率 半导体中可以同时有两种载流子,将电流密度写成:j=nq+pqv ,分别为空穴和电子在外场下获得的平均漂移速度 —平均漂移速度和外场的关系:

5.3电子电导 5.3.1载流子的散射概述

场效应管(FET)是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。优点:输入电阻大(107Ω~1012Ω)、噪音低、热稳定性好、抗辐射能力强等

1.了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识。 2.学习用“对称测量法”消除付效应的影响,测量试样的VI和VI曲线。 3.确定试样的导电类型、载流子浓度以及迁移率

华中科技大学：《模拟电子技术》教学资源（一）载流子的传输过程