• 柔性和链段 • 独有的熵弹性 • 显著的粘弹性和力学行为的历史效应 • 链段的运动和玻璃化转变 • WLF方程 • 最多种凝聚态结构 • 大尺寸取向和小尺寸 解取向 • 折叠链晶体和伸直链晶体 • 单链凝聚态 • 高分子溶液 • 平均分子量和分子量分布 • 高分子间的相互作用力特别重要 • 银纹现象 • 弹性液体

晶胞参数即点阵常数是晶体物质的重 要参数，它随化学成份和外界条件（温 度和压力）的变化而发生微小的变化， 通常在10－4Å数量级以下，要揭示这类 变化规律，就必须对点阵常数进行精确 测定

一、选择合适的答案,填入空内。只需填入A、B或C (1)功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下,负载上可能获得的最大 A.交流功率 B.直流功率 C.平均功率 (2)功率放大电路的转换效率是指 A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比 B.最大输出功率与电源提供的平均功率之比 C.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比

全书共分十八章，其中包括晶体结构、晶格振动与声子、自由电子论、能带论、各种元激发、晶体的光学性质、超导电性、磁性以及力学性质等内容，精选了一百三十道习题。所选习题有助于巩固已学知识，并深入掌握全书的基本内容，很多习题颇有启发性，它能诱，导人们进一步学会运用基本概念和重要模型去解决复杂的固体物理问题；还有不少习题涉及固体物理学中的一些较新的问题，解答这些问题将扩大知识面，习题解答起着全书补篇的作用。目前国内尚没有一本固体物理习题解答。有这样一份材料，对固体物理学课程的教学工作也许是有益的。本书可供固体物理学有关专业的大学生、研究生以及科学工作者参考

自 1895 年Ｘ射线发现以后，人们通过实验研究逐步探明了它的很多性质．但在十几年 内对于它的本质是什么，是电磁波还是粒子流，物理学家们一直争议不休．1911 年，劳厄 详细研究了光波通过光栅的衍射理论；厄瓦尔则以可见光通过晶体的行为作为他博士论文的 研究课题．一天，厄瓦尔把论文拿去向劳厄请教．

概念：由三个杂质半导体区（发射区，基区，集电区）及两个PN结（发射结和集电结）构成的，有两种载流子（自由电子和空穴）在其内部作扩散、复合、漂移等复杂运动的PNP或NPN晶体管

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

3.1概述 在这一章里,主要介绍沙子转变成晶体, 以及晶园和用于芯片制造级的抛光片的生产步 骤。 高密度和大尺寸芯片的发展需要大直径的 晶园,最早使用的是1英寸,而现在300mm直 径的晶园已经投入生产线了。因为晶园直径越 大,单个芯片的生产成本就越低。然而,直径 , 越大,晶体结构上和电学性能的一致性就越难 以保证,这正是对晶园生产的一个挑战

第九章功率放大电路 自测题 一、选择合适的答案,填入空内。只需填入A、B或C (1)功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基 本不失真情况下,负载上可能获得的最大 A.交流功率 B.直流功率 C.平均功率 (2)功率放大电路的转换效率是指 A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比 B.最大输出功率与电源提供的平均功率之比 C.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比 (3)在OCL乙类功放电路中,若最大输出功率为1W,则电路中功放 管的集电极最大功耗约为

直接调频的优点是能够获得较大的频偏，但其缺 点是中心频率稳定度低，即便是使用晶体振荡器直 接调频电路，其频率稳定度也比不受调制的晶体振 荡器有所降低。 借助调相来实现调频，可以采用高稳定的晶振作 为主振器，利用积分器对调制信号积分后的结果，对 这个稳定的载频信号在后级进行调相，就可以得到频 率稳定度很高的调频波