一、单项选择题(每小题1分,共10分) 1.d2.b3.b4.b5.b.c7.c8.c9.c10.a 二、多项选择题(每小题2分,共20分) 1. ABCD 2. ACD 3. ABC 4. ABCD 5. BCD 6. BC 7. ABCD 8. ABC 9. ACDEF 10.ABCDE

1、某企业2月6日以银行存款预付第二季度办公室租金20000元,则2月6日按权责发生 制应编制会计分录() A、借:管理费用 10000 贷:银行存款 10000 B、借:预提费用 10000 贷:银行存款 10000 C、借:预付账款 10000 贷:银行存款10000 D、借:待摊费用

已知纯钛有两种同素异构体,低温稳定的密排六方结构C-1和高温稳定的体心立 方结构-2,其同素异构转变温度为825℃,计算纯钛在室温(20℃)和900c 时晶体中(112)和(001)的晶面间距(已知a20℃=0.2951mm,ca20c=0.4679nm,apw0oe =0.3307nm)

(a)写出及He的 Schrodinger方程的数学表达式。 (b)成键三要素是?,其中成键的决定因素是? 2实验测定下列物质的离解能为:N2,N2;O2O2 De/e.v:8.86,9.90;521,6.77

概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

一、名词解释(2/20) 1.受体2.细胞培养3.信号转导4.细胞学说5.应力纤维6.磷脂转换蛋白7ES细胞8嵌 合体9交叉10 Hayflick界限

Ypok8 知识点提示] 1、形动词 2、集合数词(2) [重、难点提示] 1、了解形动词的特点 2、掌握主动形动词的构成和用法 3、掌握集合数词o6a(o6e)的变格及用法

一、单项选择题(每小题3分,共30分) 1.直线x-1=y=z-1 3-21与平面3x+4y-=2的位置关系是(C) (A)平行;(B)垂直;(C)直线在平面内;(D)相交但不垂直 =x2

一、概念题(20分) 1、试写出n摩尔范德华气体的状态方程 2、水的正常冰点与水的三相点温度相差K。 3、根据状态函数的基本假定,对一定量的均相纯物质系统,其U,S,T三个状态函数间的关系为U=(S,T)或S=S(U,T)或T=T(,S)

概念题 1.在使用物质的量时,必须指明物质的基本单元。试判断下面的说法中,哪些是不正确的: (1)1mol氯化铝;(2)1mol(-aiCl);(3)1mol铝离子;(4)1mol(2A3)