12.1 三相电路 12.2 线电压(电流)与相电压(电流)的关系 12.3 对称三相电路的计算 12.4 不对称三相电路的概念 12.5 三相电路的功率

11.1 网络函数 11.2 RLC串联电路的谐振 11.3 RLC串联电路的频率响应 11.4 RLC并联谐振电路 11.5 波特图 11.6 滤波器简介

1. 连续时间傅立叶变换; 2. 傅立叶级数与傅立叶变换之间的关系; 3. 傅立叶变换的性质; 4. 系统的频率响应及系统的频域分析；

1.系统函数； 2. 系统的级联与并联结构； 3. 系统函数零极点分布对系统时域特性的 影响； 4. 系统函数零极点分布对系统频率特性的 影响；

通过本章的学习，将能够： 1. 描述装配和封装的总趋势与设计约束条件； 2. 说明并讨论传统装配方法； 3. 描述不同的传统封装的选择； 4. 讨论7种先进装配和封装技术的优势与限制

通过本章学习，将能够： 1. 解释金属化； 2. 列出并描述在芯片制造中的6种金属，讨论它们的性能要求并给出每种金属的应用； 3. 解释在芯片制造过程中使用金属化的优点，描述应用铜的挑战； 4. 叙述溅射的优点和缺点； 5. 描述溅射的物理过程，讨论不同的溅射工具及其应用； 6. 描述金属CVD的优点和应用； 7. 解释铜电镀的基础； 8. 描述双大马士革法的工艺流程

通过本章的学习，将能够： 1. 辨别出模拟和数字、有源和无源器件的不同。说明在无源器件中寄生结构的影响； 2. 对PN结进行描述，讨论其重要性，并解释其反向偏压和正向偏压的不同； 3. 描述双极技术特征和双极晶体管的功能，偏压、结构及应用； 4. 描述 CMOS 技术的基本特征，包括场效应晶体管、偏压现象以及CMOS反相器 5. 描述 MOSFET 增强型和耗尽型之间的区别； 6. 描述寄生晶体管的影响和 CMOS 闩锁效应的本质； 7. 列举一些集成电路产品，描述其各自的一些应用

1.双边Z变换及其收敛域ROC 2.ROC的特征,各类信号的ROC,零极点图 3.Z反变换,利用部分分式展开进行反变换。 4.由零极点图分析系统的特性。 5.常用信号的Z变换,Z变换的性质

1.傅立叶变换的模与相位。 2.LTI系统的幅频特性与相频特性,系统的失真。 3.系统的不失真传输条件。 4.理想滤波器的频域、时域特性及其不可实现性。 5.非理想滤波器的特性及其逼近方式。 6.一阶与二阶系统的分析方法,Bode图

一、信号的时域分解一用(n)表示离散时间信号;表示连续时间信号。 二、LTI系统的时域分析—卷积积分与卷积和。 三、LTI系统的微分方程及差分方程表示。 四、LTI系统的框图结构表示。 五、奇异函数