一、滚塑成型 1.原理 用两瓣密闭模,将相当于制品重量的塑料量注入,同时 以异向回转并在熔融炉内加热,这时塑料体即均匀贴于內 壁而熔融塑化,成为制品

第二章半导体材料 一、半导体材料 １.目前用于制造半导体器件的材料有: 元素半导体(sie) 化合物半导体(GaAs InSb) ２.本征半导体:不含任何杂质的纯净半导体,其纯度在999%(8~10个9)。 ３.掺杂半导体:半导体材料对杂质的敏感性非常强,例如在Si中掺入千万分之一的磷(P)或者硼(B),就会使电阻率降低20万倍

9.1、齿轮选材 9.2、轴类零件选材 9.3、弹簧选材 9.4、刃具选材 1、齿轮的工作条件、失效形式及性能要求 2、齿轮类零件的选材 3、典型齿轮选材举例 1、轴类零件的工作条件 2、轴类零件的失效形式 3、轴类零件的性能要求 4、轴类零件材料及选材方法 5、典型轴的选材 1、弹簧的工作条件 2、弹簧的失效形式 3、弹簧的性能要求 4、弹簧的选材 5、典型弹簧选材 1、刃具的工作条件 2、刃具的失效形式 3、刃具的性能要求 4、刃具的选材 5、刃具选材举例

第一节引言 一、集成电路的制造需要非常复杂的技术,它主要由半导。 二、由于SOC的出现,给IC设计者提出了更高的要求,也

一、原料的定义及选择 （一)原料的定义 从工艺角度来看,凡是能被生物细胞利用并转化成所需的代谢产物或菌体的物料,都可作为发酵工业生产的原料。(二)选择原料的依据

3.2.1塑性变形 3.2.2焊接 3.2.3热处理

对低温加热工艺生产的以AlN为主抑制剂的高磁感取向硅钢高温退火过程进行中断实验，借助电子背散射衍射技术对高温退火过程中高斯晶粒的演变进行了研究.在升温过程中高斯晶粒平均尺寸先减小再增大.800℃时取向分布函数图出现高斯织构组分，但强度很弱，高斯晶粒偏离角在10o以上；900℃时高斯晶粒平均生长速率超过其他晶粒；950~1000℃时高斯晶粒异常长大，偏离角3o~6o；在1000℃之前高斯取向晶粒相比于其他晶粒没有尺寸优势

§7-1 钢结构加工制作工艺 §7-2 钢结构构件的焊接 §7-3紧固件连接工程 §7-4 单层钢结构安装工程 §7-5 多层及高层钢结构安装工程 §7-6 钢网架结构安装工程

5.1厚度自动控制的工艺基础 5.2厚度自动控制方法 5.3厚度自动控制型式及原理 5.4冷轧板带钢轧制规程制定

第一节概述 第二节工艺路线与设备布局 第三节包装生产线的生产率 第五节分合流及换向装置 第六节中间储存装置