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哈尔滨工业大学:《电工学(电子技术)》课程教学资源(题解)例题精解八
文档格式:PDF 文档大小:85.91KB 文档页数:4
一、例题精解 【例题8.1】判断下列叙述是否正确 (1)对称的三相交流电流通入对称的三相绕组中,便能产生一个在空间旋转的、恒速的、幅度按正弦规律变化的合成磁场。 (2)异步电动机的转子电路中,感应电动势和电流的频率是随转速而改变的,转速越高,则频率越高;转速越低,则频率越低
北京交通大学:《通信系统原理》课程教学资源(PPT课件)04 数字基带传输
文档格式:PPTX 文档大小:2.64MB 文档页数:99
数字基带信号 传输码型4.1、频域特征4.2 数字基带传输系统 4.3、4.4 码间干扰 奈氏第一准则 理想低通系统、等效低通系统 奈氏第二准则 部分响应系统I类、IV类 最佳基带传输 性能 4.5、4.6、4.7 误码性能分析、眼图 、均衡
南京邮电大学:《数字电路与系统》课程教学资源(PPT课件讲稿)第五章 触发器(Flip — Flop)(5.5)CMOSFF
文档格式:PPT 文档大小:1.01MB 文档页数:26
一、传输门TG 1、电路结构 CMOSFF具有功耗低、抗干扰能力强、制造工艺简单、集成度高和成本低等优点
Ti-MO低碳超高强钢中相间析出强化
文档格式:PDF 文档大小:2.27MB 文档页数:6
在不同温度下对Ti-Mo低碳钢进行等温转变,对热轧板进行力学性能检测,利用扫描电镜、透射电镜、选区电子衍射等方法进行组织观察,同时分析了相间析出粒子的形貌、尺寸和分布规律.结果显示,随着等温温度降低,钢的强度提高,延展性降低,屈强比增大.在透射试样中观察到两种不同形态分布的相间析出碳化物:平面型相间析出和曲面型相间析出.相间析出碳化物的平均直径为4.30nm,平均纵横比为1.375.在650℃等温保温1 h时,相间析出强化对铁素体相强度的增量在400MPa以上
低碳钢中纳米尺寸碳化物的相间析出行为
文档格式:PDF 文档大小:972.49KB 文档页数:9
采用扫描电镜和透射电子显微镜对低碳Ti-Mo系的热轧板进行了组织分析,同时对其中的纳米粒子析出行为进行了研究.强化机理分析表明析出强化对于屈服强度的贡献值可达291 MPa.随着卷取温度的降低,纳米粒子相间析出的排间距会减小,相间析出的排间距与其在铁素体中形核点位置有一定的离散值,但基本上呈一定的固定值.α/γ界面的观察和采用不同理论的计算结果表明相间析出的产生主要与α/γ界面的台阶形成有关,相间析出的排间距大小由台阶高度、晶界扩散系数、等温温度、台阶面迁移速率等决定
《水质分析》课程教学资源(水质分析手册)FHZHJSZISO0014 水质氯酸盐氯化物亚氯酸盐的测定离子色谱法
文档格式:PDF 文档大小:9.12KB 文档页数:1
1适用范围 本方法适用于低度污染的水(如饮用水、生水或游泳池水中氯酸盐、氯化物和亚氯酸 盐溶解性阴离子的测定。测定范围:氯酸盐:0.03~10mg/L;氯化物:0.1~50mg/L;亚氯酸 盐:0.01~1mg/L 2原理概要 液相色谱分离氯酸盐、氯化物、亚氯酸盐是通过分离柱完成的。低容量的阴离子交换器 作固定相,一元、二元弱酸盐的水溶液作流动相。使用电导检测器、紫外或电流检测器
信阳农林学院:《制茶工艺》课程教学资源(电子教案)第二章 鲜叶
文档格式:DOC 文档大小:105.5KB 文档页数:14
鲜叶是茶树顶端新梢的总称,包括芽、叶、梗。鲜叶又称生叶、荼草、青叶等。采摘 下来的茶叶嫩梢,经过不同的加工之后,便形成各种不同品质特征的成品茶。 鲜叶是形成茶叶品质的物质基础。茶叶质量的高低,主要取决于鲜叶质量的高低,制 茶技术是否合理。鲜叶的质量是形成茶叶品质的内在根据,制茶技术则是茶叶形质转化的外 在条件
50Mn18Cr4奥氏体钢形变强化的电镜、x线研究
文档格式:PDF 文档大小:5.34MB 文档页数:20
本文用薄晶体透射电镜和单色化x线衍射方法研究了50Mn18Cr4奥氏体钢的形变强化机理。实验结果表明,这种钢的层错能很低,轻微变形之后就产生大量层错。随着变形量的增加,对于奥氏体稳定性较高的钢,层错倾向于发展成形变孪晶;对于奥氏体稳定性较低的钢,层错倾向于发展成ε马氏体。此外,通过电子衍衬象还观察了层错、形变享晶、ε马氏体和晶界对位错运动的阻碍作用。在此基础上,对高锰奥氏体钢形变强化机制及其与钢中化学成分的关系作了分析与讨论
低温高磁感取向硅钢高温退火过程高斯晶粒的演变
文档格式:PDF 文档大小:597.52KB 文档页数:5
对低温加热工艺生产的以AlN为主抑制剂的高磁感取向硅钢高温退火过程进行中断实验,借助电子背散射衍射技术对高温退火过程中高斯晶粒的演变进行了研究.在升温过程中高斯晶粒平均尺寸先减小再增大.800℃时取向分布函数图出现高斯织构组分,但强度很弱,高斯晶粒偏离角在10o以上;900℃时高斯晶粒平均生长速率超过其他晶粒;950~1000℃时高斯晶粒异常长大,偏离角3o~6o;在1000℃之前高斯取向晶粒相比于其他晶粒没有尺寸优势
西安电子科技大学:《数字信号处理》课程教学资源(PPT课件)第六章 无限脉冲响应数字滤波器的设计
文档格式:PPT 文档大小:1.19MB 文档页数:151
第6章无限脉冲响应数字滤波器的设计 6.1数字滤波器的基本概念 6.2模拟滤波器的设计 6.3用脉冲响应不变法设计IR数字低通滤波器 6.4用双线性变换法设计IR数字低通滤波器 6.5数字高通、带通和带阻滤波器的设计 6.6IR数字滤波器的直接设计法
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