一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

用直流电位法研究了高温合金涡轮盘材料的裂纹扩展速率.结果表明:高温合金涡轮盘材料的裂纹扩展速率快慢,不完全取决于材料强度,更主要地取决于持久塑性.在考察高温合金涡轮盘材料的裂纹扩展时,不能仅以速率值da/dN的绝对值来衡量,还应看裂纹扩展速率曲线的斜率是否锐减或曲线出现明显的拐点,以及曲线所对应的应力强度因子△K的范围

一、背景 二、课程性质与任务 三、课程主要内容 四、于其他课程关系 五、课程教学安排 六、参考资料 1.1 金属材料(分类和基本性能) 1.2 无机非金属材料 1.3 高分子材料 1.4复合材料 1.5 给水排水工程设备常用材料的选择原则

1.1 金属材料(分类和基本性能) 1.2 无机非金属材料 1.3 高分子材料 1.4复合材料 1.5 给水排水工程设备常用材料的选择原则

探讨了晶粒度为ASTM3~5级的细晶铸造IN718C合金的显微组织对持久性能的影响.通过分析细晶材料的持久断口和显微组织,发现该合金与普通铸造材料不同的是:细晶材料的持久断裂主要为沿晶断裂形式,其碳化物、Laves相和δ相主要分布在晶界:细晶材料在不同铸态枝晶组织中晶界上碳化物和Laves相都有降低材料持久性能的倾向

第二章半导体材料 一、半导体材料 １.目前用于制造半导体器件的材料有: 元素半导体(sie) 化合物半导体(GaAs InSb) ２.本征半导体:不含任何杂质的纯净半导体,其纯度在999%(8~10个9)。 ３.掺杂半导体:半导体材料对杂质的敏感性非常强,例如在Si中掺入千万分之一的磷(P)或者硼(B),就会使电阻率降低20万倍

胶凝材料(结合料) 经物理、化学作用,能将散粒状或块状材料粘结为整体的材料

砂石材料是道路与桥梁建筑中用量最大的一种建筑材料,按照用途不同,砂石材料可以分为石料、集料和矿质混合料。 3.1石料 3.2集料 3.3矿质混合料

采用粉末注射成形-无压熔渗相结合技术制备出了电子封装用高体积分数SiCp/Al复合材料.重点研究了SiC粒径、体积分数以及粒径大小等颗粒特性对所制备复合材料热物理性能的影响规律.研究结果表明,SiCp/Al复合材料的热导率随SiC粒径的增大和体积分数的增加而增加;SiC粒径的大小对复合材料的热膨胀系数(CTE)没有显著的影响,而其体积分数对CTE的影响较大.CTE随着SiC颗粒体积分数的增加而减小,CTE实验值与基于Turner模型的预测值比较接近.通过对不同粒径的SiC粉末进行级配,可以实现体积分数在53%~68%、CTE(20~100℃)在7.8×10-6~5.4×10-6K-1、热导率在140~190W·m·K-1范围内变化

1.1 材料的基本物理性质 1.2 材料的力学性质 1.3 材料的装饰性和耐久性