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三峡大学:《电子技术基础 Fundamental of Electronic Technology》课程教学资源(试题库)2003年研究生入学考试试题
文档格式:DOC 文档大小:104KB 文档页数:4
一、填空(本题28分) 1.PN结的伏安特性方程i= ,表明PN结 导电性。 2.放大电路中,已知三极管三个电极的对地电位为UA=-9V,UB=-6.2V, Uc=-6V,则该三极管是 型三极管,A为 极, B为 极,C为 极
三峡大学:《电子技术基础 Fundamental of Electronic Technology》课程教学资源(试题库)2003年研究生入学考试试题
文档格式:DOC 文档大小:104KB 文档页数:4
一、填空(本题28分) 1.PN结的伏安特性方程i= ,表明PN结 导电性。 2.放大电路中,已知三极管三个电极的对地电位为UA=-9V,UB=-6.2V, Uc=-6V,则该三极管是 型三极管,A为 极
福建理工大学(福建工程学院):《可编程序控制器应用技术》课程PPT教学课件(PLC)电器设备知识9
文档格式:PPT 文档大小:412KB 文档页数:24
Bl系列适用于交流50HZ,额定电压至250V额定电流 20A的低压操作控制电路,作线端连接分线和实验之用
福建理工大学(福建工程学院):《可编程序控制器应用技术》课程PPT教学课件(PLC)电器设备知识5
文档格式:PPT 文档大小:1.78MB 文档页数:62
RL1系列螺旋式熔断器用于交流50Hz,额定电压380/500V,额定 电流至200A的配电线路,作输送配电设备、电缆、导线过载和短路保护
《电子技术基础》课程教学资源:参考试卷(3)试卷
文档格式:DOC 文档大小:190.5KB 文档页数:7
一、是非题(对打“√”,错打“×”。每题2分,共10分) ()1.逻辑函数表达式的化简结果是唯一的。 ()2.多位数加法器可利用半加器通过位数扩展得到。 ()3.下图电路中,图(a)和图(b)的逻辑功能相同
二氯甲烷和甲苯对咪唑离子液体结构和性质及铝电沉积的影响
文档格式:PDF 文档大小:1.11MB 文档页数:11
离子液体电沉积铝技术具有广阔的应用前景,而添加剂是提高铝镀层性能的有效方法,但相关作用机制还有待明确。本文应用量子化学和分子动力学模拟研究了二氯甲烷(DCM)和甲苯(C7H8)对氯化-1-丁基-3-甲基咪唑/三氯化铝([BMIM]Cl/AlCl3)体系的微观结构、物理化学性质和铝电沉积的影响。发现DCM易与阴、阳离子形成氢键,分布在阴阳离子之间使得阴阳离子间距离增加、相互作用能减小, 导致阴阳离子扩散能力增强、铝配离子更倾向以${\\rm{A}}{{\\rm{l}}_2}{\\rm{Cl}}_7^ -$
全国高等教育自学考试:《电子技术—基础试题二)》2003年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:358KB 文档页数:4
一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题 1 分,共 10 分) 1.功率放大器的效率是指( )。 A.输出功率与输入功率之比 B.输出功率与电源供给功率之比 C.输出功率与管耗之比 D.管耗与电源功率之比
《微型计算机原理及应用》课程电子教案(PPT教学课件)第6章 微型计算机的接口技术
文档格式:PPT 文档大小:1.23MB 文档页数:123
⚫掌握输入/输出接口电路和基本概念、掌握I/O端口编址方法和特点及地址译码方法。 ⚫掌握CPU与外设数据传送的方式方法。 ⚫掌握并行数据接口的基本概念、可编程输入/输出接口芯片8255A的结构、应用及编程方法。 ⚫掌握串行数据接口的基本概念、RS232C串行接口标准、可编程串行接口芯片8250的结构、应用及编程方法。 ⚫ 6.1 微型计算机接口技术概述 ⚫ 6.2 输入与输出 ⚫ 6.3 并行数据接口 ⚫ 6.4 串行数据接口 ⚫ 6.5 DMA接口 ⚫ 6.6 8253可编程定时计数器 ⚫ 6.7 数/模、模/数转换器及其与CPU的接口
上海海洋大学:工程学院2018版课程教学大纲汇编(机械制造及其自动化专业)
文档格式:PDF 文档大小:11.95MB 文档页数:434
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电子科技大学:《薄膜晶体管原理与技术》课程教学资源(课件讲稿)第5章 金属氧化物薄膜晶体管
文档格式:PDF 文档大小:3.87MB 文档页数:50
5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性
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