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§2.1 晶体三极管 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数 §2.2 放大的概念与放大电路的性能指标 一、放大的概念 二、放大电路的性能指标 §2.3 基本共射放大电路的工作原理 §2.4 放大电路的分析方法 一、放大电路的直流通路和交流通路 二、图解法 三、等效电路法 §2.5 静态工作点的稳定 §2.6 晶体管放大电路的三种接法 §2.7 多级放大电路 §2.8 放大电路的频率特性 一、频率响应和频率失真 二、放大电路的频率响应和瞬态响应 三、晶体管的高频特性 四、单管共射放大电路的频率响应 五、放大电路的增益带宽积 六、多级放大电路的频率响应
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以等物质的量的高锰酸钾和乙酸锰为原料,采用机械化学法制备出弱结晶型α-MnO2超级电容器电极材料.在1.2V电压内,200mA·g-1电流密度下对对称型超级电容器进行恒流充放电测试.采用XRD法、循环伏安及交流阻抗法对充放电前后电极材料的结构以及电化学性能进行表征,首次采用求斜率法对充放电曲线分析.结果表明:超级电容器表现出法拉第电容与双电层电容的双重特征;在循环过程中,电化学惰性物质Mn3O4生成,循环伏安图中氧化还原峰逐渐消失;充放电曲线的法拉第电容特征逐渐消失而接近双电层电容理想曲线;超级电容器的比容量、等效串联电阻发生了对应的变化,其最大电极比容量达到416F·g-1,经过近500次循环后,比容量为220F·g-1
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一、建设基础 (一)专业群优势特色 (二)面临的机遇和挑战 二、组群逻辑 (一)专业群与产业(链)的对应性 (二)专业群人才培养定位 (三)群内专业的逻辑性 三、建设目标 (一)总体目标 (二)具体目标 四、建设内容与举措 (一)创新人才培养模式,培育一流技术技能人才 (二)深化课程改革,创建丰富优质信息化课程资源 (三)利用人工智能技术,推动教材及教法全新革命 (四)引培结合,打造高水平结构化师资团队 (五)校企融合,共创高水平实践教学基地 (六)多方协同,打造高水平技术技能创新服务平台 (七)精准定位,充分发挥专业群社会服务能力和水平 (八)加强国际交流与合作,扩大专业群国际影响力 (九)强化监督管理,建立可持续发展保障机制 (十)夯实特色产业学院建设,打造产教融合全国名片 五、预期成效 (一)项目建设预期成效 (二)标志性成果 六、建设进度 七、经费预算
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重点:是多级放大电路的祸合方式及其特点,多级放大电路的动态参数与组成它的各级电路的关系,差分放大电路工作原理和静态工作点、差模放大倍数、共模放大倍数、共模抑制比、输入电阻、输出电阻的分析和估算,互补输出级的工作原理。难点:是组成多级放大电路的各级电路的输入电阻和输出电阻对多级放大电路动态参数的影响,单端输出差分放大电路静态和动态的分析,为什么在直流信号作用时的输出电压需用交流等效电路来分析等问题
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爱国主义教育,是大学生思想政治教育的重点。深入进行民族精神教育,要引导大学生增强民族自尊心、自信心、自豪感,做到以热爱祖国、贡献全部力量建设社会主义祖国为最大光荣,以损害社会主义祖国利益、尊严和荣誉为最大耻辱。这是我们对大学生进行爱国主义教育的思想认识基础。新时期的爱国主义教育尤应让学生在自己的耳闻目睹和亲身经历中去感悟,让学生在交流与讨论以及老师的讲解中更加深入对新时期爱国主义的认识,培养坚定的爱国主义情感。通过对大学生的爱国主义教育,主要是要解决大学生如何看待和处理自己与国家之间的关系问题。对当代大学生的爱国主义教育,就是要从培养中国特色社会建设事业需要的职业劳动者出发,使学生能够明确爱国主义的科学内涵,并且从中华民族优良传统和时代价值以及新时期的爱国主义两个方面,加深对爱国主义的认识与理解,自觉养成真挚的爱国主义情感,坚信可以通过自己的劳动贡献报效祖国和人民,从而成为令人尊敬的坚定的爱国者
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一、 预科实验 实验一 测定冰的熔化热 实验二 电学实验基本知识和测量非线性元件的伏安特性 实验三 示波器的使用 实验四 测量薄透镜的焦距 实验五 显微镜 二、 基础实验-I 实验六 测量误差和不确定度 实验七 测定金属的杨氏模量 实验八 刚体转动实验 实验九 气轨上弹簧振子的简谐振动 实验十 扭摆的受迫振动 实验十一 复摆实验 实验十二 测定媒质中的声速 实验十三 弦上驻波实验 实验十四 直流电桥测量电阻 实验十五 用非平衡测量铂电阻的温度系数 实验十六 霍尔效应测量磁场 实验十七 LCR的谐振现象 实验十八 弗兰克-赫兹实验 实验十九 虚拟仪器基础-LabVIEW入门 实验二十 分光计的调节和用掠入射法测折射率 实验二十一 光衍射的定量研究 实验二十二 观察光的偏振现象 实验二十三 迈克耳孙干涉仪 三、 基础实验-II 实验二十四 高温超导材料特性测试和低温温度计 实验二十五 闪光法测定不良导体的热导率 实验二十六 动态法测定良导体的热导率 实验二十七 真空镀膜实验 实验二十八 交流电桥 实验二十九 RLC串联电路的暂态过程 实验三十 磁滞回线的测量 实验三十一 光栅特性及测定光波波长 实验三十二 偏振光的定量研究 实验三十三 全息照相 实验三十四 阿贝成像原理和空间滤波 实验三十五 光源的时间相干性 实验三十六 光栅光谱仪的校准和使用 实验三十七 光学多道分析器(OMA)研究氢原子光谱 实验三十八 微波的布拉格衍射 实验三十九 X射线衍射 实验四十 共振法测定杨氏模量及其与温度的关系
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采用高温固相法成功制备了 Li2x−ySr1−xTi1−yNbyO3(x=3y/4, y=0.25, 0.5, 0.6, 0.7, 0.75, 0.8) 锂离子固体电解质,并通过X 射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、交流阻抗图谱、恒电位极化等分别研究了各个组分的晶体结构、微观形貌、离子电导率和电子电导率. XRD 显示当 y≤0.70 时,材料为立方钙钛矿型结构,几乎没有杂质相生成. SEM 表明随着掺杂含量 的增加材料的晶粒尺寸逐渐增大. Li0.35Sr0.475Ti0.3Nb0.7O3 锂离子固体电解质有着高离子电导率,为 3.62×10−5 S·cm−1,其电子电导率为 2.55×10−9 S·cm−1,活化能仅为 0.29 eV. 使用以 Li0.35Sr0.475Ti0.3Nb0.7O3 为隔膜的 LiFePO4/Li 半电池经过 100 圈循环后,放电比容量仍有 93.9 mA·h·g−1,容量保持率为 90.72%
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采用交流阻抗谱研究了无电镀镍浸金处理电路板在模拟电解质溶液(0.1mol·L-1 NaHSO3)中的电化学腐蚀行为,并结合体视学显微镜、扫描电镜、X射线能谱分析等手段分析了试样表面腐蚀产物形貌、组成和镀层失效机制.无电镀镍浸金处理电路板在NaHSO3溶液中的耐蚀性较差,浸泡12h试样表面局部即发生变色,伴随有微裂纹的产生.电解液能够通过裂纹直接侵蚀Cu基底,并在微裂纹周围生成较多的枝晶状结晶产物,其主要组分为Cu2S.该结晶腐蚀产物的不断生成使局部区域中间Ni过渡层与Cu基底结合部位存在较大的横向剪切应力,最终造成Ni镀层的脱离与鼓泡现象
文档格式:PDF 文档大小:1.27MB 文档页数:9
采用交流阻抗谱研究热风整平无铅喷锡处理印制电路板(PCB-HASL)和无电镀镍金电路板(PCB-ENIG)在盐雾环境下的电化学腐蚀行为,并结合体式学显微镜、扫描电镜、X射线能谱等手段分析两种不同表面处理工艺电路板的腐蚀产物形貌、组成和镀层失效机制.结果表明:盐雾环境下,PCB-HASL和PCB-ENIG均发生严重腐蚀;镀Sn层开始发生局部腐蚀,随后几乎整个表面都发生腐蚀,出现类似均匀腐蚀的现象,镀金板主要发生微孔腐蚀.在PCB-HASL腐蚀过程中,Cl-的侵蚀作用促进Sn层的腐蚀,后来由于逐渐形成大量的覆盖在镀层表面的腐蚀产物,使得腐蚀速率降低;而在PCB-ENIG腐蚀过程中,微孔处形成含Cl-电解质薄液层,Ni与Au构成腐蚀电偶,从而加速Ni的腐蚀,最终使Cu基底裸露,造成电路板失效
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13.1 单片机与外围集成数字驱动电路的接口 13.2 单片机与光电耦合器的接口 13.2.1. 晶体管输出型光电耦合器驱动接口 13.2.2. 晶闸管输出型光电耦合器驱动接口 13.3 单片机与继电器的接口 13.3.1 单片机与直流电磁式继电器功率接口 13.3.2 单片机与交流电磁式接触器的接口 13.4 单片机与晶闸管的接口 13.4.1 单向晶闸管 13.4.2 双向晶闸管 13.4.3 光耦合双向可控硅驱动器 13.5 单片机与集成功率电子开关输出接口 13.5.1 集成功率电子开关TWH8751简介 13.5.2 集成功率电子开关TWH8751的典型应用 13.6 单片机与固态继电器的接口 13.6.1 固态继电器的特性与分类 13.6.2 固态继电器的应用 13.7 低压开关量信号输出技术
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