1.1 半导体中的电子状态与载流子 1.1.1 半导体材料的结构与能带形成 1.1.2 半导体中的载流子 1.1.3 半导体中载流子的统计分布 1.2 载流子的传输 1.3 pn结和金属-半导体接触 1.4 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构 1.4.1 理想MIS结构及其工作状态 1.4.2 理想MIS结构的空间电荷分布 1.4.3 理想MIS结构的阈值电压 1.4.4 实际MIS 结构 1.4.5 MIS结构的电容-电压特性 1.5 MIS场效应晶体管

§7 - 1 集总参数电路中电压电流的约束关系 §7－2 电容元件 §7－3 电感元件 §7－4 动态电路的电路方程 §7－5 开关电路的初始条件

§.1 周期电压和电流 §.2 正弦电压和电流 §.3 正弦RC电路的分析 §.4 相量 §8-1有效值、有效值相量 §8-2 基尔霍夫定律的相量形式 §8-3 基本元件的v-i相量形式 §8-4 阻抗和导纳 相量模型 §8-5 相量模型的网孔分析法和节点分折法

 电流镜  差分对  差分电压放大器和差分电流放大器

1.验证单相桥式整流及加电容滤波电路中输出直流电压与输入交流电压之间的关系，并观察它们的波形。 2.学习测量直流稳压电流的主要技术指标。 3.学习集成稳压块的使用。 4.练习示波器和晶体管毫伏表的使用

第一章 电路元件和电路定律 (circuit elements) (circuit laws) 重点： 1. 电压、电流的参考方向 2. 电路元件特性 3. 基尔霍夫定律 1.1 电路和电路模型 1.2 电压和电流的参考方向 1.3 电路元件的功率 1.4 电阻元件 1.5 电源元件 1.7 受控电源 1.6 基尔霍夫定律

7.2.2 电压并联负反馈放大电路 7.2.3 电流串联负反馈放大电路 7.2.4 电流并联负反馈放大电路 7.2.1 电压串联负反馈放大电路

第一节、气体放电的基本物理过程 第二节、气体介质的电气强度 第三节、绝缘子与沿面放电 第四节、液体和固体介质的电气特性 本章小结： 电介质的电导用电阻率来表征 电介质损耗受外加电压的频率、大小及环境温度的影响而变化 液体、固体介质比气体介质的击穿场强高 绝缘的老化包括局部放电引起的电老化、热老化和绝缘的受潮 通常将视在放电量作为衡量局部放电强度的参数 电气设备绝缘预防性试验是设备运行的常规试验

提出了一种克服外界缓变物理量（如温度）对半导体型脉冲传感器影响的电压跟随比较法.与传统的电压直接比较法相比，该方法只跟随传感器触发的正弦波原始信号的变化趋势，与外界缓变物理量温度等的变化无关；然后整形成矩形彼，有效地消除了温度漂移的影响，提高了传感器的稳定性.此外，还分析了信号处理电路中各参数的选取及注意事项等

采用互感耦合模型对电磁铸造中的液柱高度和弯液面形状进行了数值计算。分析了液柱高度和弯液面形状对系统稳定性的影响。考察了电压和频率对系统电流的影响规律。计算结果表明,在其他工艺条件不变时,只要电压或频率的变化量小于±2%,系统是稳定的