采用Cu-CuSO4-16%H2SO4浸泡实验、双环电化学动电位再活化(DL-EPR)法和动电位交流阻抗(DEIS)研究了不同热处理状态00Cr12Ti在0.1 mol·L-1 H2SO4+0.0001 mol·L-1 KSCN溶液中的电化学行为.结果表明:1000℃保温2 h的试样发生敏化,650℃保温2 h的试样不发生敏化.不同热处理状态主要影响合金的再活化过程,对合金的活化过程影响很小.在再活化过程中,对于1000℃保温2h试样,容抗弧显著减小而后逐渐增大,且低频区出现负阻抗,发生钝化膜的破裂和修复;而650℃保温2 h试样钝化膜相对稳定,没有发生钝化膜破裂和修复.发生晶间腐蚀后,1000℃保温2 h试样电荷转移电阻(Rct)明显小于650℃保温2 h试样的钝化膜电阻(Rp),这是由敏化试样发生局部腐蚀造成的

本章介绍运算放大器的电路模型,它在理想条件下的外部特征,以及含有运算放大器的电阻电路的分析另外介绍一些典型电路

提出了一种流量非接触式测量的新方法，即用管外加热套对被测管段加热，因管内流体的流动使其上下游产生温度差，由铂膜电阻将此温差转换成电阻差，从而实现了利用不平衡电桥测量管内流体速度及流量的新构想

基于大地电磁测深理论,阐述了高精度电磁频谱技术的方法原理,提出了在局部区域内勘探深度和电磁波频率可被看作具有线性关系,使得地层电阻率可以通过测深曲线进行对应.据此设计了一个多通道探测地下矿层电阻率的观测系统,采用平板电容器作为传感器,克服了体积效应的缺点,提高了勘探的精度.利用该系统分别对煤层和油气进行勘探,通过与实际钻孔资料对比,解释符合率大于80%,数据吻合良好

温度是表征物体冷热程度的物理量。它反 映物体内部各分子运动平均动能的大小。 温度可以利用物体的某些物理性质(电阻、 电势、等)随着温度变化的特征进行测量。 测量方法按作用原理分接触式和非接触式。 接触式传感器接触温度场,二者进行热交换。 (热电偶、热电阻温度传感器)

采用线性极化、电化学阻抗谱等电化学方法研究了连续柱状晶组织BFe10-1-1合金在3.5%(质量分数)NaCl溶液中的耐蚀性能,并与普通铸造多晶组织BFe10-1-1合金进行了对比.极化曲线测试结果表明,两种合金具有相似的电化学行为,极化曲线都包括活性溶解区、活化-钝化转变区和极限电流区,但连续柱状晶组织合金腐蚀速率小于普通铸造多晶组织合金,主要是由于连续柱状晶组织BFe10-1-1合金的微观偏析程度较小,能有效避免枝晶间局部腐蚀的发生.电化学阻抗谱测试结果也表明,该合金的电荷传递电阻和腐蚀产物膜电阻均大于普通铸造多晶组织合金,具有更高的耐蚀性

通过干湿周浸加速实验方法、扫描电镜观察和电化学阻抗谱测试技术,研究了2A12铝合金的初期腐蚀规律与电化学行为.实验结果表明,干湿周浸48h后,所有Cl-溶液中试样都发生了明显的点蚀.提高Cl-含量可以促进点蚀的形成和发展,同时腐蚀产物增多.当Cl-含量低时,腐蚀过程主要受电荷转移电阻控制;随Cl-含量增加,其电化学特征转变为受电荷转移电阻和Warburg阻抗扩散混合控制

第三章电阻电路的一般分析方法 3.1电路的图 3.2KCL和KVL的独立方程数 3.3支路电流法 3.4网孔电流法和回路电流法 3.5结点电压法

§1.8.1 基本指标 §1.8.2 功率放大器设计原则 §2.1微波混频器件 §2.2肖特基势垒二极管 §2.3非线性电阻混频原理 §2.4微波混频器电路

通过实验和第一性原理计算的方法研究了氢致PZT-5H铁电陶瓷导电性变化的规律和机理.随着充H含量的增加,PZT-5H陶瓷的电阻率逐渐降低,当陶瓷中总H的质量分数为11.2×10-6时电阻率降至1.51×109Ω.cm,介于半导体和绝缘体之间.随着H含量进一步升高,霍尔效应表明PZT-5H陶瓷变成n型半导体.第一性原理计算表明,当进入Pb(Zr0.5-Ti0.5)O3晶格的H质量分数等于临界值(96×10-6)时,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]32H系统变成了半导体;随着H含量的升高,态密度图向低能方向平移,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]nH系统变成了导体