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第一章 电力电子实验的基本要求及注意事项 §1-1 电力电子实验的重要性和基本要求 §1-2 电力电子实验安全操作注意事项 第二章 电力电子教学试验 §2-1 实验一 三相桥式全控整流电路实验 §2-2 实验二 三相桥式有源逆变电路实验 §2-3 实验三 三相交流调压电路实验 §2-4 实验四 直流斩波电路实验 §2-5 实验五 双闭环晶闸管不可逆直流调速实验 §2-6 实验六 双闭环三相异步电动机串级调速实验 §2-5 实验七 变频器应用实验 附录 电力电子实验所用设备和仪器 附录 A MCL-Ⅲ 型电力电子及电气传动教学试验台面板介绍和使用说明 附录 B SS-7804 示波器使用说明 附录 C VFD-M 变频器使用说明
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应用透射电镜(TEM)和X射线能谱(EDX)对CSP工艺含钛耐候钢中的细小磷化物进行了研究.对成品钢板和经900℃压缩20%并等温30min的连铸坯分析结果表明:耐候钢中存在MxP型纳米级磷化物,x值为2~3,金属元素M为Fe、Ti及少量Cr或Ni,磷化物的结构为六方晶系,点阵常数a=0.609nm、c=0.351nm;成品钢板中磷化物尺寸多在20nm以下,而经过900℃压缩的连铸坯试样中磷化物的尺寸、形状不尽相同,较大的棒状磷化物长约300nm、宽约50nm,其他粒子在50nm以下,多呈方形.CSP工艺生产线中可能发生磷化物沉淀的阶段是热连轧的最后两个道次直至冷却到400~500℃的过程中;磷化物的析出可提高沉淀强化效果,但同时会使钢中的固溶磷浓度降低
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4.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路(CMOS共源放大电路) 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管(JFET)及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项
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采用静电辅助的气溶胶化学气相沉积的方法成功地在Si(100)衬底上制备了Y2O3薄膜,利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XRP)对薄膜进行了表征.SEM分析结果显示,薄膜的颗粒为纳米级的,并且薄膜致密、平整.AFM分析结果表明,薄膜的粗糙度为11nm.由XPS分析可知,薄膜为基本上符合化学计量比的氧化物.附着力测试表明,Y2O3薄膜与Si衬底的附着力为4.2N.X射线衍射分析结果表明,沉积得到的Y2O3薄膜在热处理前为非晶结构,热处理之后薄膜具有立方晶体结构,并且沿(111)面择优生长
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利用ZrO2·MgO固体电解质定氧探头测定了实验1kg级铁水喷吹CaO系熔剂同时脱磷脱硫处理过程中反应初始和终了的铁水氧位,并进行了热力学分析。测定的初始氧位范围为Po2=10-8.45~10-9.75Pa(10-13.46~10-14.70atm),比按C/O、Si/O平衡反应计算的氧位提高1~3个数量级,测定的终了氧位范围为Po2=10-7~10-9Pa(10-12~10-14atm),比初始氧位提高1~3个数量级,与热力学计算的最佳氧位值(Po2=10-7.88Pa(10-12.88atm))吻合良好。结果表明,随铁水终了氧位升高,脱磷率增加、终了磷含量下降,脱硫率则稍有降低、终了硫含量稍微升高。此外,还从电化学上对同时脱磷脱硫处理的最佳氧位-电位区域进行了分析,并探讨了铁水罐喷吹脱磷脱硫处理的反应机理
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4.1 互联网路由结构与路由算法 4.1.1 互联网结构特点 4.1.2 互联网的路由结构 4.1.3 路由算法分类 4.2 互联网域内路由协议 4.2.1 路由信息协议 4.2.2 开放最短路径优先协议 4.3 互联网域间路由协议 4.3.1 自治系统级网络拓扑 4.3.2 自治系统间连接关系 4.3.3 边界网关协议 4.3.4 BGP 中的策略路由 4.4 组播及组播地址 4.4.1 计算机网络中的通信方式 4.4.2 IP 组播技术优缺点 4.4.3 IPv4 组播地址 4.4.4 互联网组管理协议 IGMP 4.5 组播转发 4.5.1 源树 4.5.2 共享树 4.5.3 源树和共享树的比较 4.5.4 组播转发原理 4.6 组播路由协议 4.6.1 域内组播路由协议 4.6.2 域间组播路由协议 4.6.3 分析与比较
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教学重点、难点: 1 过程控制基础:自动控制系统基本概念,自动控制系统的组成,过渡过程与品质指标 2 被控对象特性:工业常用对象的特点及描述方法,对象特性参数及其测定方法,常见单容和双容工业对象应用 3 常用检测仪表:常用压力温度流量物位仪表的工作原理、特点、应用及选型 4 控制仪表及及控制规律:基本控制规律及其对系统过渡过程的影响,PID 运算原理,模拟控制器基本原理,数字控制算法, 5 执行器 :执行器的基本组成,气动薄膜阀的结构、特点及应用,电动控制阀的结构、特点及应用,执行器气开气关形式及控制器正反作用的选择,控制阀口径的选择,仪表防爆技术 6 计算机控制系统:计算机控制系统的组成与特点,DDC 系统的基本原理,DCS、FCS 和SCADA 等常见计算机过程控制系统的基本概念 7 简单控制与复杂控制系统:简单控制系统的结构与组成,调节方案,调节规律及整定。串级调节系统,比值调节系统,均匀调节系统和前馈调节系统 8 工业自动化系统应用举例:石油加工,工业锅炉控制等
文档格式:PDF 文档大小:1.78MB 文档页数:9
设计了不同相构成的超高强DH钢,抗拉强度均大于1300 MPa,组织由铁素体、马氏体、残留奥氏体和极少量碳化物构成。对比了不同相构成对超高强DH钢力学性能和应变硬化行为等的影响,并深入研究了残留奥氏体在超高强度DH钢中的作用机制。结果表明:随着马氏体和残留奥氏体体积分数的增大,铁素体体积分数的减小,实验钢屈服和抗拉强度同时升高,而延伸率呈先增大后减小趋势。软韧相铁素体体积分数的减小和硬相马氏体体积分数的增大导致屈服强度和抗拉强度增加。相对于回火马氏体,淬火马氏体对强度的提升更显著,在拉伸过程中转变的残留奥氏体的量是引起延伸率变化的主要原因,组织中显著的带状组织会造成颈缩后延伸率的明显降低。通过对应变硬化行为的分析表明,随着真应变的增大,应变硬化率呈减小的趋势,在真应变大于2%后的大范围内,对于应变硬化率,DH1>DH2>DH3,主要与铁素体体积分数有关;在真应变大于5.73%后,DH2钢的应变硬化率高于DH1钢和DH3钢,主要与DH2钢中更显著的TRIP效应有关。除了残留奥氏体体积分数,残留奥氏体中的碳含量对TRIP效应同样有显著的影响。较高比例的硬相马氏体组织结合适当比例的软韧相铁素体和残留奥氏体有助于DH2钢获得最良好的强塑积13.17 GPa·%,其中屈服强度达880 MPa,抗拉强度达1497 MPa,均匀延伸率为6.71%,总伸长率为8.8%,颈缩后延伸率为2.09%,屈强比0.59
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将直径为5 mm的混合烧结Al2O3陶瓷球安装在高温滑动摩擦试验机夹持工具上与耐磨钢组成摩擦副, 研究了耐磨钢与氧化铝陶瓷球在200~300 N、100~400 r·min-1不同载荷下的滑动摩擦行为.结合X射线衍射分析技术和扫描电镜等分析手段研究了NM400和NM500两种耐磨钢在室温~300℃下摩擦界面处材料的氧化物形成、磨损表面形貌和显微组织等行为.随温度升高, NM400和NM500的摩擦系数仍然处于0.27~0.40的范围内, 但两者的平均摩擦系数分别从0.337、0.323逐步降低至了0.296和0.288.在300℃时, 氧化物的产生是摩擦系数略有下降的主要原因.随着温度的升高, 摩擦行为首先以磨粒磨损为主, 随后逐渐发生氧化物的压入-剥离-氧化现象, 使磨损速率略有降低.通过高温摩擦磨损行为与微量氧化模型的分析发现, NM400和NM500钢在室温至300℃的磨损机制是磨粒磨损、挤压变形磨损以及微量氧化物磨损的共同作用.NM500钢表现出更加良好的耐磨性能主要原因是其硬度强度高于NM400钢.在高强微合金马氏体耐磨钢中添加少量合金元素, 使其在高温摩擦过程中产生一定量稳定附着的氧化物, 在一定程度上能够起到降低磨损率的作用
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