第九讲场效应管及其放大电路 一、场效应管 二、场效应管放大电路静态工作点的设置方法 三、场效应管放大电路的动态分析 四、复合管

§9-1 静电场中的导体 §9-2 有导体时静电场的分析方法 §9-3 静电场中的电介质 §9-4 D矢量及其高斯定理 §9-5 电容和电容器 §9-6 静电场的能量

8-4高斯定理 一、电场线(电场的图示法) 规定 1、曲线上每一点切线方向为该点电场方向, 2、通过垂直于电场方向单位面积电场线数为该点电场强度的大小.E=E=dN/dS

一、磁场能量及能量密度 1、电磁能定域于场中 (1)电能定域于电场中,即场具有能量、电能储于电场中:w=d (2)同样,磁能也储于磁场中,场能密度为:Wm=B.H

§4.1 场效应晶体管(FET) § 4.1.1 结型场效应管 § 4.1.2 绝缘栅场效应管（MOS) § 4.1.4 场效应管的参数和型号 §4.2 场效应放大电路

4.1结型场效应管 4.2砷化镓金属-半导体场效应管 4.3金属氧化物-半导体场效应管 4.4场效应管放大电路 4.5各种放大器件电路性能比较

第3章场效应与基本放大电路 3.1结型场效应管 3.2绝缘栅场效应管 3.3场效应管的主要参数、特点及使用注意事项

3.1结型场效应管 3.2绝缘栅型场效应管 3.3场效应管的主要参数及特点 3.4场效应管放大电路

3―1 结型场效应管 3―2 绝缘栅场效应管(IGFET) 3―3 场效应管的参数和小信号模型 3―4 场效应管放大器

3.1 静电场的保守性 3.2 电势差和电势 3.3 电势叠加原理 3.4 电势梯度 3.5 电荷在电场电势能 3.6 电荷系的静电能* 3.7 静电场的能量