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4.3.1 N沟道增强型MOSFET(EMOS) 4.3.3 各种FET的特性及使用注意事项 4.3.2 N沟道耗尽型MOSFET(DMOS) • 特性曲线及参数 • 结构 • 工作原理
文档格式:PPT 文档大小:294.5KB 文档页数:9
• 结构 • 工作原理 • 输出特性 • 转移特性 • 主要参数 4.1.1 JFET的结构和工作原理 4.1.2 JFET的特性曲线及参数
文档格式:DOC 文档大小:3.27MB 文档页数:4
1、电路如题图8-1(a)所示,其输入电压uI1和uI2的波形如图(b)所示,二极管导通电压UD=0.7V试画出输出电压uO的波形,并标出幅值
文档格式:PPT 文档大小:2.08MB 文档页数:110
9—1 功率放大器 9—2 整流器和直流稳压电源 9—3 功率器件 9—4 高精度基准电压源
文档格式:PDF 文档大小:3.78MB 文档页数:23
7.1.1在图题7.1.1所示的各电路中,哪些元件组成了级间反馈通路?它们所引入的反馈 是正反馈还是负反馈?是直流反馈还是交流反馈?(设各电路中电容的容抗对交流信号均可忽 略) 解图题7.1.1a中,由电阻R2、R1组成反馈通路,引入负反馈,交、直流反馈均有;b图中, 由Ra引入负反馈,交、直流反馈均有,由Rn、R引入直流负反馈;c图中,由R1、Ra引入负反 馈,交、直流反馈均有;d图中,由R2、R1引入负反馈,交、直流反馈均有;e图中,由A2、R3引人 负反馈,交、直流反馈均有:图中,由R。引入负反馈,交、直流反馈均有
文档格式:DOC 文档大小:121KB 文档页数:6
一、(1)×(2)√(3)×(4)×(5)√(6)×(7)× 二、(a)不能。因为输入信号被VBB短路。(b)可能 (c)不能。因为输入信号作用于基极与地之间,不能驮载在静态电压之上,必然失真
文档格式:DOC 文档大小:67KB 文档页数:5
一、(1)× (2)√√ (3)√× (4)× (5)√ 二、(1)A A (2)D A (3)B A (4)D B (5)C B 三、(1)B D (2)C (3)A
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2.2.1 PN结的形成-》 2.2.2 PN结的单向导电性-》 2.2.3 PN结的反向击穿-》 2.2.4 PN结的电容效应-》 2.2 PN结的形成及特性
文档格式:PPT 文档大小:673.5KB 文档页数:17
2.1.1 半导体材料 2.1.2 半导体的共价键结构 2.1.3 本征半导体 2.1.4 杂质半导体 半导体的导电机制 2.1 半导体的基本知识
文档格式:PPT 文档大小:1.01MB 文档页数:18
7.1.2 直流反馈与交流反馈 7.1.3 正反馈与负反馈 7.1.4 串联反馈与并联反馈 7.1.1 什么是反馈 7.1.5 电压反馈与电流反馈
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