一、选择题(第1-20题每题2分,第21-3题每题3分,共70分) 1.我们可以在设计时(属性窗口中)和运行时(程序代码中)设置属性的属性值,以下关于属性设置的说法正确的是() (A)在属性窗口中可以设置所有属性的属性值。 (B)在程序代码中可以设置所有属性的属性值 (C)属性的名称由VB事先定义,用户不能改变。 (D)所有对象的属性都是可见的

Chapter 12 Molecular Rearrangements I Classification of Rearrangement Reactions II Nucleophilic Rearrangement 1 Wagner-Meerwein rearrangement 2 Pinacolic Rearrangement 3a- ethandione Rearrangement 4 Beckmann Rearrangement 5 Baeyer-Villiger- Rearrangement Electrophilic Rearrangement) 1 favorskii Rearrangement 2 Stevens Rearrangement 3 Wittig Rearrangement 4 Fries Rearrangement IV Radical Rearrangement

例1文法G0)s→s(1)s→aAd(2)S→bAc (3)s→aec(4)s→bed(5)A→e

第八章中性岩类 一、概述 1.岩石化学成分特点是SiO2贪等(5366%;FeO、 Mgo Cao较基性岩明显减少:Na2O2O明显增加;A2O315%左右。 2.主要矿物成分是中性斜长石和角石,辉石和黑云母次之,常见副矿物有磁铁矿、磷灰石、榍石石等。 3.颜色较浅,色率约30% 4.自然界分布不多,约占岩浆岩总面积的2%

第17章VB/SQL Server应用程序开发 17-1VB前端开发概述 17-2客户端与 SQL Server的关联w 17-3使用ADO件 SQL访问 Server数据库 17-4使用a对象 SQL访问 Server数据库 17-5本章小结

第四章空间力系 4.1已知F1=100N,F2=300N,F3=200N,作用位 置及尺寸如图(a)所示; 求力系向O点简化的结果

2.1辑变量和逻辑运算 一 、二值逻辑变量用大写字母A、B、C···表示,两种取值0和1,代表一对对立状态,例如开关的通断。 二、存在三种与二值变量有关的逻辑运算“与”:只有决定事物结果的全部条件同时具备(为真)时,结果才发生(为真)

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

《分析化学》考试试卷答案 一.填空题: 1.10.7-3.3 2.0.1:0.0120常量 3.[h++h3y+2hy+3hy++4hy+h+hy+2y+ 4.控制酸度;掩蔽A3 5.0.33 6.将物质由亲水性转变为疏水性的过程

定理2(收敛数列的有界性) 如果数列{xn}收敛,那么数列{xn}一定有界 证明设数列{xn}收敛于a 根据数列极限的定义,Vε=1,3N∈N+,当n>N时,有