4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

本章介绍两种电路元件——耦合电感和理想变压器，与受控源一样，属于多端元件，但是是通过磁场进行耦合。 耦合电感：通过磁场相互约束的若干个电感的总称。 耦合电感：动态元件，是储能元件 耦合电感不同于单独的电感，有互感存在，为予以区别单个电感称为自感。 理想变压器：属于电阻元件，不储能也不耗能。 11－1 基本概念 11－2 耦合电感的VCR 耦合系数 11－3 空芯变压器电路的分析 反映阻抗 11－4 耦合电感的去耦等效电路 11－5 理想变压器的伏安关系 11－6 理想变压器的阻抗变换性质 11－7 理想变压器的实现 11－8 铁芯变压器的模型

13.1 概述 13.2 555集成定时器电路 13.3 单稳态触发器 13.4 多谐振荡器 13.5 施密特触发器

第六章非线性处理器 6.1限幅器 6.2电压比较器 6.3迟滞比较器 6.4精密整流电路 6.5采样保持电路

第七章波形发生电路 7.1方波发生器 7.2三角波发生器 7.3锯齿波发生器 7.4压频转换 7.5正弦波发生器

§6-1 分解方法在动态电路分析中运用 §6-2 零输入响应 §6-3 零状态响应 §6-4 线性动态电路的叠加定理 §6-5 三要素法 §6-6 阶跃函数和阶跃响应 § 6-7 一阶电路子区间分析

第五章放大电路的频率特性 5.1频率响应概述 5.1.1研究放大电路频率响应的必要性 在放大电路中

14.1 拉普拉斯变换的定义 14.2 拉普拉斯变换的基本性质 14.3 拉普拉斯反变换的部分分式展开 14.4 运算电路 14.5 应用拉普拉斯变换法分析线性电路 14.6 网络函数的定义 14.7 网络函数的极点和零点 14.8 极点、零点与冲激响应 14.9 极点、零点与频率响应

13.1 非正弦周期信号 13.2 周期函数分解为傅里叶级数 13.3 有效值、平均值和平均功率 13.4 非正弦周期电流电路的计算 13.5 对称三相电路中的高次谐波

5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 2. 图解分析 3. 小信号模型分析